首页--工业技术论文--机械、仪表工业论文--仪器、仪表论文--光学仪器论文--显微镜论文

四探针扫描隧道显微镜的彻底改造及石墨烯输运性质研究

摘要第3-5页
Abstract第5-7页
重要缩略词第8-12页
第一章 绪论第12-60页
    1.1 扫描隧道显微镜的原理与应用第12-25页
        1.1.1 隧穿效应第12-17页
        1.1.2 压电效应与逆压电效应第17-20页
        1.1.3 反馈回路第20-22页
        1.1.4 振动隔绝系统第22-24页
        1.1.5 扫描隧道显微镜的应用第24-25页
    1.2 多探针扫描隧道显微镜的发展和应用第25-38页
        1.2.1 多探针扫描隧道显微镜的发展第25-33页
        1.2.2 四探针扫描隧道显微镜的应用第33-38页
    1.3 石墨烯输运研究背景介绍第38-59页
        1.3.1 石墨烯的生长、转移以及器件测试方法第39-45页
        1.3.2 石墨烯晶界的结构、定位和输运表征方法第45-56页
        1.3.3 四探针系统在石墨烯输运研究中的应用第56-59页
    1.4 本文的研究内容第59-60页
第二章 四探针扫描隧道显微镜系统的彻底改造第60-96页
    2.1 背景介绍第60-65页
        2.1.1 四探针扫描隧道显微镜发展与应用概述第60-61页
        2.1.2 OMICRON UHV Nanoprobe系统概述第61-64页
        2.1.3 OMICRON UHV Nanoprobe系统的设计缺陷第64-65页
    2.2 升级改造方案第65-79页
        2.2.1 减振隔离与磁阻尼第65-68页
        2.2.2 热连接和热屏蔽第68-71页
        2.2.3 机械设计第71-75页
        2.2.4 系统零部件的更新第75-77页
        2.2.5 分时复控电路单元第77-79页
    2.3 彻底改造后的成果第79-84页
        2.3.1 减振与磁阻尼系统第79页
        2.3.2 热屏蔽罩与热连接部分第79-81页
        2.3.3 扫描结构第81-82页
        2.3.4 部件的替换与装配第82-83页
        2.3.5 分时复控电路单元进展第83-84页
    2.4 测试结果第84-93页
        2.4.1 环境振动测试第84-85页
        2.4.2 功率密度谱测试第85-86页
        2.4.3 STM成像测试第86-89页
        2.4.4 变温测试第89-91页
        2.4.5 电输运测试第91-93页
    2.5 后续改进展望第93-95页
        2.5.1 音叉型AFM与光纤探针第93-94页
        2.5.2 MBE系统第94-95页
    2.6 本章小结第95-96页
第三章 毫米尺寸单晶石墨烯的形貌和输运性质研究第96-114页
    3.1 背景介绍第96-97页
    3.2 铜箔上石墨烯的生长与STM表征第97-101页
        3.2.1 毫米尺度石墨烯的CVD生长第97-98页
        3.2.2 铜箔上石墨烯的STM表征第98-101页
    3.3 二氧化硅衬底上石墨烯第101-105页
        3.3.1 二氧化硅衬底上石墨烯的光学与拉曼表征第101-103页
        3.3.2 石墨烯褶皱的AFM与STM表征第103-105页
    3.4 四探针法输运测试第105-113页
        3.4.1 基于van der Pauw方法的四探针输运测试第105-108页
        3.4.2 石墨烯的局域输运性质第108-112页
        3.4.3 石墨烯边界的输运测量第112-113页
    3.5 本章小结第113-114页
第四章 多晶石墨烯晶界的输运性质研究第114-130页
    4.1 背景介绍第114页
    4.2 四探针法测量二氧化硅上石墨烯晶界的电阻率第114-126页
        4.2.1 测量方法与扩展模型第114-117页
        4.2.2 两侧单晶石墨烯二维电阻接近时的ρ_(GB)/ρ_(wrinkle)第117-120页
        4.2.3 两侧单晶石墨烯二维电阻不同时的ρ_(GB)第120-126页
    4.3 石墨烯晶界/褶皱处的迁移率第126-129页
    4.4 本章小结第129-130页
第五章 结论与展望第130-132页
参考文献第132-148页
个人简历及发表文章目录第148-151页
博士阶段参加的学术会议第151-152页
致谢第152-156页

论文共156页,点击 下载论文
上一篇:硫族材料薄膜的生长及其结构和物性调控
下一篇:倒四棱锥结构在晶硅太阳能电池上的研究与应用