摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-7页 |
重要缩略词 | 第8-12页 |
第一章 绪论 | 第12-60页 |
1.1 扫描隧道显微镜的原理与应用 | 第12-25页 |
1.1.1 隧穿效应 | 第12-17页 |
1.1.2 压电效应与逆压电效应 | 第17-20页 |
1.1.3 反馈回路 | 第20-22页 |
1.1.4 振动隔绝系统 | 第22-24页 |
1.1.5 扫描隧道显微镜的应用 | 第24-25页 |
1.2 多探针扫描隧道显微镜的发展和应用 | 第25-38页 |
1.2.1 多探针扫描隧道显微镜的发展 | 第25-33页 |
1.2.2 四探针扫描隧道显微镜的应用 | 第33-38页 |
1.3 石墨烯输运研究背景介绍 | 第38-59页 |
1.3.1 石墨烯的生长、转移以及器件测试方法 | 第39-45页 |
1.3.2 石墨烯晶界的结构、定位和输运表征方法 | 第45-56页 |
1.3.3 四探针系统在石墨烯输运研究中的应用 | 第56-59页 |
1.4 本文的研究内容 | 第59-60页 |
第二章 四探针扫描隧道显微镜系统的彻底改造 | 第60-96页 |
2.1 背景介绍 | 第60-65页 |
2.1.1 四探针扫描隧道显微镜发展与应用概述 | 第60-61页 |
2.1.2 OMICRON UHV Nanoprobe系统概述 | 第61-64页 |
2.1.3 OMICRON UHV Nanoprobe系统的设计缺陷 | 第64-65页 |
2.2 升级改造方案 | 第65-79页 |
2.2.1 减振隔离与磁阻尼 | 第65-68页 |
2.2.2 热连接和热屏蔽 | 第68-71页 |
2.2.3 机械设计 | 第71-75页 |
2.2.4 系统零部件的更新 | 第75-77页 |
2.2.5 分时复控电路单元 | 第77-79页 |
2.3 彻底改造后的成果 | 第79-84页 |
2.3.1 减振与磁阻尼系统 | 第79页 |
2.3.2 热屏蔽罩与热连接部分 | 第79-81页 |
2.3.3 扫描结构 | 第81-82页 |
2.3.4 部件的替换与装配 | 第82-83页 |
2.3.5 分时复控电路单元进展 | 第83-84页 |
2.4 测试结果 | 第84-93页 |
2.4.1 环境振动测试 | 第84-85页 |
2.4.2 功率密度谱测试 | 第85-86页 |
2.4.3 STM成像测试 | 第86-89页 |
2.4.4 变温测试 | 第89-91页 |
2.4.5 电输运测试 | 第91-93页 |
2.5 后续改进展望 | 第93-95页 |
2.5.1 音叉型AFM与光纤探针 | 第93-94页 |
2.5.2 MBE系统 | 第94-95页 |
2.6 本章小结 | 第95-96页 |
第三章 毫米尺寸单晶石墨烯的形貌和输运性质研究 | 第96-114页 |
3.1 背景介绍 | 第96-97页 |
3.2 铜箔上石墨烯的生长与STM表征 | 第97-101页 |
3.2.1 毫米尺度石墨烯的CVD生长 | 第97-98页 |
3.2.2 铜箔上石墨烯的STM表征 | 第98-101页 |
3.3 二氧化硅衬底上石墨烯 | 第101-105页 |
3.3.1 二氧化硅衬底上石墨烯的光学与拉曼表征 | 第101-103页 |
3.3.2 石墨烯褶皱的AFM与STM表征 | 第103-105页 |
3.4 四探针法输运测试 | 第105-113页 |
3.4.1 基于van der Pauw方法的四探针输运测试 | 第105-108页 |
3.4.2 石墨烯的局域输运性质 | 第108-112页 |
3.4.3 石墨烯边界的输运测量 | 第112-113页 |
3.5 本章小结 | 第113-114页 |
第四章 多晶石墨烯晶界的输运性质研究 | 第114-130页 |
4.1 背景介绍 | 第114页 |
4.2 四探针法测量二氧化硅上石墨烯晶界的电阻率 | 第114-126页 |
4.2.1 测量方法与扩展模型 | 第114-117页 |
4.2.2 两侧单晶石墨烯二维电阻接近时的ρ_(GB)/ρ_(wrinkle) | 第117-120页 |
4.2.3 两侧单晶石墨烯二维电阻不同时的ρ_(GB) | 第120-126页 |
4.3 石墨烯晶界/褶皱处的迁移率 | 第126-129页 |
4.4 本章小结 | 第129-130页 |
第五章 结论与展望 | 第130-132页 |
参考文献 | 第132-148页 |
个人简历及发表文章目录 | 第148-151页 |
博士阶段参加的学术会议 | 第151-152页 |
致谢 | 第152-156页 |