| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第10-34页 |
| 1.1 低维结构材料 | 第12-18页 |
| 1.1.1 低维结构材料的特性 | 第13-16页 |
| 1.1.2 低维结构材料的表征 | 第16-18页 |
| 1.2 薄膜生长 | 第18-22页 |
| 1.3 超导电性 | 第22-30页 |
| 1.3.1 超导发展概述 | 第23-25页 |
| 1.3.2 扫描隧道显微镜在超导研究中的应用简介 | 第25-30页 |
| 1.4 层状过渡金属二硫族化合物 | 第30-31页 |
| 1.5 电荷密度波 | 第31-33页 |
| 1.6 本论文结构和主要内容 | 第33-34页 |
| 第二章 实验技术及原理 | 第34-54页 |
| 2.1 超高真空技术 | 第34-39页 |
| 2.2 分子束外延技术 | 第39-41页 |
| 2.3 低温和强磁场技术 | 第41-43页 |
| 2.4 扫描隧道显微镜技术 | 第43-51页 |
| 2.4.1 扫描隧道显微镜的基本原理 | 第43-45页 |
| 2.4.2 扫描隧道显微镜的基本构造 | 第45-47页 |
| 2.4.3 扫描隧道显微镜的工作模式 | 第47-48页 |
| 2.4.4 扫描隧道谱 | 第48页 |
| 2.4.5 针尖制作与处理 | 第48-51页 |
| 2.5 其它相关测量技术 | 第51-52页 |
| 2.6 本论文实验所使用的仪器介绍 | 第52-54页 |
| 第三章 Au(111)表面碲吸附原子超结构演化的研究 | 第54-70页 |
| 3.1 研究背景 | 第54-58页 |
| 3.2 实验方法 | 第58-60页 |
| 3.2.1 Au(111)表面的处理 | 第58-59页 |
| 3.2.2 Te原子在Au(111)表面的沉积 | 第59-60页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第60-68页 |
| 3.3.1 一维链状结构 | 第60-61页 |
| 3.3.2 两种带手性的超结构 | 第61-66页 |
| 3.3.3 类蜂窝状结构 | 第66-67页 |
| 3.3.4 Te吸附原子结构的相图 | 第67-68页 |
| 3.4 本章小结 | 第68-70页 |
| 第四章 有机分子调控FeSe薄膜超导电性的研究 | 第70-92页 |
| 4.1 研究背景 | 第70-78页 |
| 4.1.1 界面超导简述 | 第70-73页 |
| 4.1.2 不同体系下FeSe的超导电性 | 第73-77页 |
| 4.1.3 有机分子的调控行为 | 第77-78页 |
| 4.2 实验方法 | 第78-79页 |
| 4.2.1 钛酸锶衬底上FeSe薄膜的MBE生长 | 第78-79页 |
| 4.2.2 DBTTF和TCNQ分子的沉积 | 第79页 |
| 4.3 实验结果和讨论 | 第79-87页 |
| 4.3.1 有机分子在FeSe薄膜上的选择性吸附 | 第79-81页 |
| 4.3.2 分子与FeSe薄膜之间的电荷转移的研究 | 第81-84页 |
| 4.3.3 分子诱导的FeSe薄膜的超导转变的研究 | 第84-87页 |
| 4.4 补充与讨论 | 第87-89页 |
| 4.5 本章小结 | 第89-92页 |
| 第五章 钛酸锶(111)衬底上TiSe_2薄膜的MBE生长和STM/S研究 | 第92-102页 |
| 5.1 研究背景 | 第92-96页 |
| 5.1.1 TiSe_2的块材与掺杂 | 第92-95页 |
| 5.1.2 石墨烯衬底上生长的TiSe_2薄膜 | 第95-96页 |
| 5.2 实验方法 | 第96-97页 |
| 5.3 实验结果和讨论 | 第97-101页 |
| 5.3.1 多畴结构的单层TiSe_2薄膜 | 第97-99页 |
| 5.3.2 TiSe_2薄膜的电子结构和CDW缺失及讨论 | 第99-101页 |
| 5.4 本章小结 | 第101-102页 |
| 第六章 结论 | 第102-104页 |
| 参考文献 | 第104-114页 |
| 个人简历 | 第114页 |
| 攻读博士学位期间已发表或待发表论文情况 | 第114-116页 |
| 致谢 | 第116-118页 |
