| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 前言 | 第11-28页 |
| 1.1 引言 | 第11-13页 |
| 1.2 气体传感器的基本原理 | 第13-18页 |
| 1.2.1 气敏机理 | 第13-15页 |
| 1.2.2 气敏元件的传感模型 | 第15-18页 |
| 1.3 光电气体传感器的基本原理 | 第18-20页 |
| 1.3.1 光生伏特效应 | 第18页 |
| 1.3.2 半导体的光催化效应 | 第18-19页 |
| 1.3.3 光激发增强气敏性质的机理研究进展 | 第19-20页 |
| 1.4 光电气敏材料的改进方法 | 第20-24页 |
| 1.4.1 改变气敏材料的形貌 | 第20-21页 |
| 1.4.2 金属离子掺杂 | 第21页 |
| 1.4.3 表面修饰贵金属 | 第21-22页 |
| 1.4.4 复合半导体 | 第22-23页 |
| 1.4.5 表面修饰光敏感材料 | 第23-24页 |
| 1.5 气敏材料 ZnO 的简介 | 第24-26页 |
| 1.5.1 ZnO 的晶体结构 | 第24-25页 |
| 1.5.2 ZnO 的水热制备 | 第25-26页 |
| 1.6 本课题的立题思想和主要内容 | 第26-28页 |
| 第二章 多孔 ZnO 的制备与光电气敏性质研究 | 第28-40页 |
| 2.1 前言 | 第28-29页 |
| 2.2 实验过程 | 第29-33页 |
| 2.2.1 实验试剂 | 第29页 |
| 2.2.2 光电气敏的测试 | 第29-31页 |
| 2.2.3 光电压测试系统 | 第31-33页 |
| 2.2.4 多孔 ZnO 的制备 | 第33页 |
| 2.3 实验结果与分析 | 第33-39页 |
| 2.3.1 样品表征 | 第33-34页 |
| 2.3.2 多孔 ZnO 的光电流谱测试 | 第34页 |
| 2.3.3 光电气敏性质研究 | 第34-37页 |
| 2.3.4 多孔 ZnO 的光电压研究 | 第37-39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 Fe_2O_3/ZnO 复合半导体的光电气敏性质研究 | 第40-51页 |
| 3.1 前言 | 第40-41页 |
| 3.2 实验过程 | 第41页 |
| 3.2.1 主要试剂与仪器 | 第41页 |
| 3.2.2 样品的制备 | 第41页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第41-50页 |
| 3.3.1 样品的表征 | 第41-43页 |
| 3.3.2 吸收光谱测试 | 第43-44页 |
| 3.3.3 光电气敏测试 | 第44-47页 |
| 3.3.4 表面光电压与瞬态光电压测试 | 第47-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 ZnSnO_3立方体的制备与光电气敏性质研究 | 第51-56页 |
| 4.1 前言 | 第51页 |
| 4.2 实验过程 | 第51-52页 |
| 4.2.1 实验试剂与仪器 | 第51-52页 |
| 4.2.2 ZnSnO_3立方体的制备 | 第52页 |
| 4.3 实验结果与分析 | 第52-55页 |
| 4.3.1 样品的表征 | 第52-53页 |
| 4.3.2 ZnSnO_3的光电气敏性质测试 | 第53-54页 |
| 4.3.3 ZnSnO_3的表面光电压测试 | 第54-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-67页 |
| 作者简历 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |