首页--工业技术论文--自动化技术、计算机技术论文--计算技术、计算机技术论文--电子数字计算机(不连续作用电子计算机)论文--存贮器论文

双极性阻变存储器外围关键电路设计

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第10-15页
    1.1 研究的背景和意义第10-12页
    1.2 国内外研究现状第12-13页
    1.3 论文的主要工作第13-15页
第二章 RRAM存储机理与建模第15-29页
    2.1 RRAM工作机理第15-23页
        2.1.1 整体效应第16-19页
        2.1.2 局部效应第19-23页
    2.2 双极性阻变存储器模型与仿真第23-28页
        2.2.1 基于MOS器件的阻变存储器模型第23-25页
        2.2.2 基于Verilog-A的阻变存储器模型第25-28页
    2.3 本章小结第28-29页
第三章 RRAM读写电路和编程算法设计第29-43页
    3.1 阻变存储单元第29-32页
        3.1.1 1R型存储单元结构第29-30页
        3.1.2 1D1R型存储单元结构第30-31页
        3.1.3 1T1R型存储单元结构第31-32页
    3.2 RRAM的读写电路第32-38页
        3.2.1 阻变存储单元操作流程第32-35页
        3.2.2 阻变存储单元读电路设计第35-37页
        3.2.3 阻变存储单元写电路设计第37-38页
    3.3 RRAM编程算法设计第38-42页
        3.3.1 固定脉冲编程算法第39页
        3.3.2 编程脉冲宽度调制算法第39-40页
        3.3.3 编程脉冲宽度和脉冲高度调制算法第40-42页
    3.4 本章小结第42-43页
第四章 RRAM灵敏放大器与译码电路设计第43-57页
    4.1 RRAM整体架构第43-44页
    4.2 灵敏放大器电路设计第44-51页
        4.2.1 传统灵敏放大器第44-45页
        4.2.2 改进型灵敏放大器第45-47页
        4.2.3 多预充电流采样灵敏放大器第47-51页
    4.3 译码器电路设计第51-56页
        4.3.1 译码器电路原理第51-53页
        4.3.2 高速译码器电路设计第53-56页
    4.4 本章小结第56-57页
第五章 RRAM整体电路仿真第57-62页
    5.1 写操作仿真第57-59页
    5.2 读操作仿真第59-61页
    5.3 本章小结第61-62页
第六章 总结与展望第62-64页
    6.1 设计总结第62页
    6.2 工作展望第62-64页
参考文献第64-69页
图表目录第69-71页
致谢第71页

论文共71页,点击 下载论文
上一篇:近钻头振动信号的快速采样与存储技术研究
下一篇:移动云计算下带能量约束的任务调度研究