| 摘要 | 第9-14页 |
| ABSTRACT | 第14-20页 |
| 符号表 | 第21-23页 |
| 第一章 绪论 | 第23-51页 |
| §1-1 GaN器件研究背景与意义 | 第23-28页 |
| 1-1-1 GaN材料特性 | 第23-25页 |
| 1-1-2 GaN器件应用和市场潜力 | 第25-28页 |
| §1-2 AlGaN/GaN HFETs发展历史及研究进展 | 第28-36页 |
| 1-2-1 GaN材料发展历史 | 第28-29页 |
| 1-2-2 AlGaN/GaN异质结材料发展历史及研究进展 | 第29-31页 |
| 1-2-3 AlGaN/GaN HFETs发展历史及研究进展 | 第31-36页 |
| §1-3 极化库仑场散射理论发展历史及研究进展 | 第36-39页 |
| §1-4 本论文的研究内容及安排 | 第39-42页 |
| 参考文献 | 第42-51页 |
| 第二章 器件制备与测试 | 第51-71页 |
| §2-1 AlGaN/GaN异质结材料的外延生长 | 第51-56页 |
| 2-1-1 衬底选择 | 第51-53页 |
| 2-1-2 外延生长 | 第53-56页 |
| §2-2 器件制备 | 第56-60页 |
| 2-2-1 制版工艺 | 第56页 |
| 2-2-2 表面清洗工艺 | 第56页 |
| 2-2-3 图形曝光工艺 | 第56-57页 |
| 2-2-4 器件隔离工艺 | 第57-58页 |
| 2-2-5 欧姆接触工艺 | 第58-59页 |
| 2-2-6 肖特基接触工艺 | 第59页 |
| 2-2-7 钝化工艺 | 第59-60页 |
| §2-3 AlGaN/GaN异质结材料与器件测试 | 第60-67页 |
| 2-3-1 霍尔(Hall)测试 | 第60页 |
| 2-3-2 电容-电压(C-V)测试 | 第60-61页 |
| 2-3-3 电流-电压(I-V)测试 | 第61-63页 |
| 2-3-4 小信号S参数测试 | 第63-65页 |
| 2-3-5 负载牵引(Load-Pull)测试 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 第三章 一种准确确定AlGaN/GaN HFETs载流子迁移率的方法 | 第71-95页 |
| §3-1 二维散射理论 | 第71-79页 |
| §3-2 一种准确确定AlGaN/GaN HFETs载流子迁移率的方法 | 第79-84页 |
| §3-3 实例计算结果分析及验证 | 第84-91页 |
| 参考文献 | 第91-95页 |
| 第四章 小尺寸AlGaN/GaN HFETs载流子迁移率的研究 | 第95-109页 |
| §4-1 小尺寸AlGaN/GaN HFETs栅下沟道载流子迁移率的研究 | 第96-102页 |
| §4-2 小尺寸AlGaN/GaN HFETs栅源/栅漏沟道载流子迁移率的研究 | 第102-106页 |
| 参考文献 | 第106-109页 |
| 第五章 不同栅长和栅偏压对AlGaN/GaN HFETs极化库仑场散射势和栅源通道电阻R_s的影响研究 | 第109-133页 |
| §5-1 不同栅长和栅偏压对AlGaN/GaN HFETs极化库仑场散射势的影响 | 第110-119页 |
| §5-2 不同栅长和栅偏压对AlGaN/GaN HFETs栅源通道电阻R_s的影响 | 第119-130页 |
| 参考文献 | 第130-133页 |
| 第六章 极化库仑场散射对AlGaN/GaN HFETs器件线性度的影响研究 | 第133-169页 |
| §6-1 不同漏源间距对AlGaN/GaN HFETs器件线性度的影响研究 | 第134-144页 |
| §6-2 不同栅宽对AlGaN/GaN HFETs器件线性度的影响研究 | 第144-154页 |
| §6-3 不同栅长对AlGaN/GaN HFETs器件线性度的影响研究 | 第154-163页 |
| §6-4 一种提高AlGaN/GaN HFETs器件线性度的方法 | 第163-166页 |
| 参考文献 | 第166-169页 |
| 第七章 结论 | 第169-173页 |
| 致谢 | 第173-175页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第175-181页 |
| Paper 1 | 第181-188页 |
| Paper 2 | 第188-195页 |
| Paper 3 | 第195-201页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第201页 |
