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GaAs单片集成650GHz三倍频器研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第10-19页
    1.1 研究工作的背景与意义第10-12页
    1.2 全固态太赫兹倍频器国内外研究动态第12-17页
    1.3 论文研究内容第17-18页
    1.4 论文章节安排第18-19页
第二章 太赫兹倍频器原理第19-24页
    2.1 倍频器基本理论第19-21页
    2.2 太赫兹倍频器电路第21-23页
        2.2.1 太赫兹二倍频器电路第21-22页
        2.2.2 太赫兹三倍频器电路第22-23页
            2.2.2.1 反向并联结构第22-23页
            2.2.2.2 同向并联结构第23页
    2.3 本章小结第23-24页
第三章 平面肖特基二极管建模第24-46页
    3.1 肖特基结工作机理第24-29页
        3.1.1 肖特基势垒的形成第24-26页
        3.1.2 欧姆接触的形成第26-28页
        3.1.3 肖特基二极管管芯等效电路第28-29页
    3.2 太赫兹平面肖特基二极管技术第29-32页
    3.3 太赫兹平面肖特基二极管三维模型第32-41页
        3.3.1 太赫兹平面二极管寄生参数与等效电路第34-35页
        3.3.2 太赫兹平面肖特基二极管三维电磁模型分析第35-41页
            3.3.2.1 定性分析第35-36页
            3.3.2.2 定量分析第36-41页
    3.4 平面肖特基二极管三维电磁模型建立第41-45页
        3.4.1 二极管管芯参数第41-42页
        3.4.2 二极管三维电磁模型第42-45页
    3.5 本章小结第45-46页
第四章 GaAs单片集成三倍频器仿真优化第46-72页
    4.1 650GHz三倍频器电路方案与传输线选取第46-48页
    4.2 平面肖特基二极管阻抗提取第48-50页
    4.3 5 mm GaAs单片集成 650GHz三倍频器仿真第50-64页
        4.3.1 基片厚度与宽度第50-52页
        4.3.2 低通滤波器第52-53页
        4.3.3 波导-悬置微带过渡第53-56页
        4.3.4 平面肖特基二极管结构及端.设置第56-57页
        4.3.5 输入输出匹配电路第57-59页
        4.3.6 5 mm 650GHz三倍频器整体电路仿真第59-64页
    4.4 12 mm GaAs单片集成 650GHz三倍频器仿真第64-71页
        4.4.1 12 mm 650GHz三倍频器整体电路仿真第64-68页
        4.4.2 12 mm GaAs单片集成 650GHz三倍频器容差分析第68-71页
    4.5 本章小结第71-72页
第五章 GaAs单片集成 650GHz三倍频器实验研究第72-77页
    5.1 GaAs单片集成 650GHz三倍频器驱动源输出功率测试第72-73页
    5.2 GaAs单片集成 650GHz三倍频器输出功率测试第73-74页
    5.3 GaAs单片集成 650GHz三倍频器测试结果及分析第74-75页
    5.4 本章小结第75-77页
第六章 全文总结与展望第77-79页
    6.1 全文总结第77-78页
        6.1.1 主要贡献与创新点第77-78页
    6.2 后续工作展望第78-79页
致谢第79-80页
参考文献第80-86页
攻读硕士学位期间取得的成果第86-87页

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