一种具有新型结终端的横向功率MOS仿真设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 功率半导体器件概述 | 第9-12页 |
| 1.2 功率MOS器件 | 第12-16页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第16-17页 |
| 第二章 横向功率MOS的耐压机理与关键技术研究 | 第17-31页 |
| 2.1 场板技术 | 第17-22页 |
| 2.1.1 金属场板 | 第17-18页 |
| 2.1.2 多晶场板 | 第18-22页 |
| 2.2 横向变掺杂技术 | 第22-29页 |
| 2.3 体内电场降低技术 | 第29-31页 |
| 第三章 具有新型结终端的横向功率MOS研究 | 第31-57页 |
| 3.1 具有新型多晶场板的LDMOS结构 | 第31-47页 |
| 3.1.1 结构与机理 | 第31-33页 |
| 3.1.2 器件仿真优化与分析 | 第33-47页 |
| 3.2 具有积累型栅场板的LDMOS | 第47-55页 |
| 3.2.1 结构与机理 | 第47-49页 |
| 3.2.2 器件仿真与优化 | 第49-55页 |
| 3.3 本章小结 | 第55-57页 |
| 第四章 新型LDMOS的工艺设计与版图设计 | 第57-72页 |
| 4.1 新型LDMOS的工艺流程设计 | 第57-65页 |
| 4.2 工艺参数优化 | 第65-70页 |
| 4.2.1 对衬底浓度的仿真 | 第65-67页 |
| 4.2.2 对外延容差的仿真 | 第67-70页 |
| 4.3 器件版图设计 | 第70-71页 |
| 4.4 本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 总结 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-77页 |
