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激光聚变靶丸用GDP膜生长机理与表面粗糙度控制研究

摘要第3-5页
Abstract第5-7页
第一章 绪论第12-34页
    1.1 GDP薄膜第12-14页
        1.1.1 GDP薄膜的结构特点第12-14页
        1.1.2 GDP薄膜的材料性能第14页
    1.2 GDP薄膜在激光聚变靶丸中的应用第14-20页
        1.2.1 激光惯性约束聚变的研究背景与意义第14-15页
        1.2.2 GDP薄膜在激光聚变靶丸结构中的地位第15-17页
        1.2.3 几种候选烧蚀层材料的对比第17-18页
        1.2.4 激光惯性约束聚变对GDP靶丸的要求第18-20页
    1.3 GDP薄膜的研究进展第20-31页
        1.3.1 国外GDP薄膜的研究现状第21-27页
        1.3.2 国内GDP薄膜的研究现状第27-31页
    1.4 本论文的选题背景与意义第31-32页
    1.5 本论文的研究内容第32-34页
第二章 GDP薄膜的制备与表征第34-47页
    2.1 引言第34页
    2.2 本实验所采用的GDP薄膜的制备方法与装置第34-35页
    2.3 等离子体状态的诊断方法第35-45页
        2.3.1 等离子体质谱诊断技术第35-39页
        2.3.2 郎缪尔探针诊断技术第39-45页
    2.4 GDP薄膜的结构与性能表征方法第45-46页
        2.4.1 表面轮廓仪第45页
        2.4.2 傅里叶变换红外光谱第45-46页
        2.4.3 扫描电子显微镜第46页
        2.4.4 白光干涉仪第46页
    2.5 本章小结第46-47页
第三章 不同工艺参数下的辉光放电等离子体状态研究第47-74页
    3.1 引言第47页
    3.2 不同射频功率下的等离子体状态分析第47-56页
        3.2.1 实验方法与表征第47-48页
        3.2.2 不同射频功率下的等离子体组分分析第48-50页
        3.2.3 不同射频功率下的离子能量分布情况第50-51页
        3.2.4 不同射频功率下的等离子体空间电势第51-53页
        3.2.5 不同射频功率下的电子能量概率函数第53-54页
        3.2.6 不同射频功率下的电子密度和有效电子温度第54-56页
    3.3 不同工作气压下的等离子体状态分析第56-65页
        3.3.1 实验方法与表征第56页
        3.3.2 不同工作气压下的等离子体组分分析第56-58页
        3.3.3 不同工作气压下的离子能量分布情况第58-60页
        3.3.4 不同工作气压下的等离子体空间电势第60-61页
        3.3.5 不同工作气压下的电子能量概率函数第61-63页
        3.3.6 不同工作气压下的电子密度和有效电子温度第63-65页
    3.4 不同气体流量下的等离子体状态分析第65-72页
        3.4.1 实验方法与表征第65页
        3.4.2 不同气体流量下的等离子体组分分析第65-68页
        3.4.3 不同气体流量下的离子能量分布情况第68页
        3.4.4 不同气体流量下的等离子体空间电势第68-70页
        3.4.5 不同气体流量下的电子能量概率函数第70页
        3.4.6 不同气体流量下的电子密度和有效电子温度第70-72页
    3.5 本章小结第72-74页
第四章 等离子体状态对GDP薄膜生长的影响研究第74-104页
    4.1 引言第74页
    4.2 不同射频功率下的等离子体状态对GDP薄膜生长的影响第74-84页
        4.2.1 样品的制备与表征第74-75页
        4.2.2 等离子体状态对薄膜化学结构的影响第75-78页
        4.2.3 等离子体状态对薄膜沉积速率的影响第78-80页
        4.2.4 等离子体状态对薄膜表面形貌的影响第80-82页
        4.2.5 等离子体状态对薄膜表面粗糙度的影响第82-84页
    4.3 不同工作气压下的等离子体状态对GDP薄膜生长的影响第84-95页
        4.3.1 样品的制备与表征第84-85页
        4.3.2 等离子体状态对薄膜化学结构的影响第85-87页
        4.3.3 等离子体状态对薄膜沉积速率的影响第87-90页
        4.3.4 等离子体状态对薄膜表面形貌的影响第90-93页
        4.3.5 等离子体状态对薄膜表面粗糙度的影响第93-95页
    4.4 不同气体流量下的等离子体状态对GDP薄膜生长的影响第95-102页
        4.4.1 样品的制备与表征第95-96页
        4.4.2 等离子体状态对薄膜化学结构的影响第96-98页
        4.4.3 等离子体状态对薄膜沉积速率的影响第98-99页
        4.4.4 等离子体状态对薄膜表面形貌的影响第99-100页
        4.4.5 等离子体状态对薄膜表面粗糙度的影响第100-102页
    4.5 本章小结第102-104页
第五章 A离子间歇性刻蚀的GDP薄膜表面粗糙度控制技术研究第104-121页
    5.1 引言第104页
    5.2 实验方法与表征手段第104-106页
    5.3 Ar离子刻蚀对C_4H_8/H_2等离子体状态的影响第106-110页
        5.3.1 C_4H_8/H_2与C_4H_8/H_2/Ar等离子体的离子能量对比分析第106-107页
        5.3.2 C_4H_8/H_2与C_4H_8/H_2/Ar等离子体的离子组分对比分析第107-110页
    5.4 Ar离子刻蚀对GDP薄膜化学结构与表面形貌及粗糙度的作用机理第110-114页
        5.4.1 Ar离子刻蚀前后GDP薄膜化学结构的对比分析第110-111页
        5.4.2 Ar离子刻蚀前后GDP薄膜表面形貌与粗糙度的对比分析第111-114页
    5.5 Ar离子不同间歇性刻蚀周期对GDP薄膜化学结构的影响第114-116页
    5.6 Ar离子不同间歇性刻蚀周期对GDP薄膜表面形貌与粗糙度的影响第116-119页
    5.7 本章小结第119-121页
第六章 GDP薄膜表面形貌与粗糙度的演变机理研究第121-134页
    6.1 引言第121页
    6.2 GDP薄膜的成膜原理第121-126页
        6.2.1 等离子体与薄膜表面的相互作用过程第121-123页
        6.2.2 薄膜生长的三种模式的影响机制第123-126页
    6.3 不同工艺参数下GDP薄膜表面形貌与粗糙度的演变机理第126-133页
        6.3.1 不同射频功率下GDP薄膜形貌与粗糙度的演变机理第126-129页
        6.3.2 不同工作气压下GDP薄膜形貌与粗糙度的演变机理第129-130页
        6.3.3 不同气体流量下GDP薄膜形貌与粗糙度的演变机理第130页
        6.3.4 Ar离子间歇性刻蚀下GDP薄膜形貌与粗糙度的演变机理第130-133页
    6.4 本章小结第133-134页
第七章 结论与展望第134-138页
    7.1 结论第134-136页
    7.2 创新点第136页
    7.3 展望第136-138页
致谢第138-140页
参考文献第140-154页
附录第154-155页

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