CMOS及SiGe HBT LNA研究设计
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第8页 |
| 1.2 国内外研究现状与发展动态 | 第8-9页 |
| 1.3 主要研究内容与系统设计指标 | 第9-10页 |
| 1.4 论文结构与安排 | 第10-12页 |
| 第二章 噪声的基本理论 | 第12-26页 |
| 2.1 噪声的统计特性 | 第12-13页 |
| 2.1.1 噪声谱 | 第12-13页 |
| 2.1.2 相关噪声源和非相干噪声源 | 第13页 |
| 2.2 噪声的类型 | 第13-16页 |
| 2.2.1 热噪声 | 第14-15页 |
| 2.2.2 闪烁噪声 | 第15-16页 |
| 2.2.3 散弹噪声 | 第16页 |
| 2.3 电路中的噪声表示 | 第16-18页 |
| 2.4 晶体管的噪声模型 | 第18-19页 |
| 2.4.1 双极型晶体管 | 第18-19页 |
| 2.4.2 MOS晶体管 | 第19页 |
| 2.5 基本放大器的噪声 | 第19-25页 |
| 2.5.1 共源电路 | 第19-21页 |
| 2.5.2 共栅电路 | 第21-23页 |
| 2.5.3 差分放大器 | 第23-25页 |
| 2.6 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 低噪声放大器设计与模块仿真 | 第26-50页 |
| 3.1 低噪声放大器系统方案 | 第26-28页 |
| 3.2 低噪声输入级电路设计 | 第28-40页 |
| 3.2.1 差分电路特点 | 第28-32页 |
| 3.2.2 单转双电路设计 | 第32-34页 |
| 3.2.3 输入级电路设计与仿真 | 第34-40页 |
| 3.3 共模反馈电路的设计 | 第40-41页 |
| 3.4 偏置电路设计 | 第41-43页 |
| 3.5 低噪声DAC设计与仿真 | 第43-46页 |
| 3.6 CMOS低噪声放大器仿真 | 第46-47页 |
| 3.7 SiGe低噪声放大器设计与仿真 | 第47-49页 |
| 3.8 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 版图设计与后仿真 | 第50-60页 |
| 4.1 版图设计 | 第50-54页 |
| 4.1.1 版图设计要点 | 第50-51页 |
| 4.1.2 CMOS低噪声放大器版图设计 | 第51-53页 |
| 4.1.3 SiGe低噪声放大器版图设计 | 第53-54页 |
| 4.2 CMOS低噪声放大器后仿真结果 | 第54-56页 |
| 4.3 SiGe低噪声放大器后仿真结果 | 第56-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 芯片测试 | 第60-66页 |
| 5.1 CMOS低噪声放大器在片测试 | 第60-63页 |
| 5.1.1 CMOS低噪声放大器在片测试方案 | 第60-62页 |
| 5.1.2 CMOS低噪声放大器在片测试结果 | 第62-63页 |
| 5.2 CMOS低噪声放大器键合测试 | 第63-65页 |
| 5.3 本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第74页 |
