| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 主要符号表 | 第12-15页 |
| 1 绪论 | 第15-29页 |
| 1.1 论文的选题及研究意义 | 第15-21页 |
| 1.1.1 引言 | 第15-16页 |
| 1.1.2 ZTS 晶体的研究意义 | 第16-18页 |
| 1.1.3 ZTS 晶体的结构及外形 | 第18-20页 |
| 1.1.4 ZTS 晶体的性能参数及优缺点 | 第20-21页 |
| 1.2 课题当前的研究现状 | 第21-26页 |
| 1.3 本课题的研究内容及特色 | 第26-29页 |
| 1.3.1 本课题的研究内容 | 第26-27页 |
| 1.3.2 本课题的主要特色 | 第27-29页 |
| 2 ZTS 过饱和溶液的成核 | 第29-51页 |
| 2.1 引言 | 第29-30页 |
| 2.2 晶体成核理论 | 第30-39页 |
| 2.2.1 相变的基本条件 | 第30-32页 |
| 2.2.2 溶液生长系统中的相变驱动力 | 第32-34页 |
| 2.2.3 成核类型 | 第34-36页 |
| 2.2.4 均匀成核时晶核的临界半径及成核自由能 | 第36-38页 |
| 2.2.5 非均匀成核时晶核的临界半径及成核自由能 | 第38-39页 |
| 2.3 诱导期理论 | 第39-41页 |
| 2.4 ZTS 原料合成及溶解度测定 | 第41-44页 |
| 2.4.1 ZTS 原料合成及成分验证 | 第41-43页 |
| 2.4.2 ZTS 晶体溶解度的测定 | 第43-44页 |
| 2.5 ZTS 过饱和溶液诱导期的测定 | 第44-45页 |
| 2.5.1 实验试剂 | 第44页 |
| 2.5.2 实验装置 | 第44页 |
| 2.5.3 实验步骤 | 第44-45页 |
| 2.6 实验结果与讨论 | 第45-49页 |
| 2.6.1 过饱和比对诱导期的影响 | 第45页 |
| 2.6.2 成核机制 | 第45-46页 |
| 2.6.3 固-液界面张力的计算 | 第46-48页 |
| 2.6.4 其他成核参数的计算 | 第48-49页 |
| 2.6.5 表面熵因子的计算 | 第49页 |
| 2.7 小结 | 第49-51页 |
| 3 ZTS 晶体（100）面形貌及台阶运动 | 第51-77页 |
| 3.1 引言 | 第51-52页 |
| 3.2 晶体生长实验中的 AFM 系统 | 第52-54页 |
| 3.2.1 原子力显微镜（AFM）简介 | 第52-53页 |
| 3.2.2 本实验中使用的 AFM 系统 | 第53-54页 |
| 3.3 实验 | 第54-55页 |
| 3.3.1 溶液配制 | 第54页 |
| 3.3.2 籽晶制备 | 第54-55页 |
| 3.3.3 实验过程 | 第55页 |
| 3.4 实验结果与讨论 | 第55-74页 |
| 3.4.1 ZTS 晶体（100）面微观形貌 | 第55-57页 |
| 3.4.2 台阶的高度 | 第57-58页 |
| 3.4.3 聚并台阶 | 第58-60页 |
| 3.4.4 二维核 | 第60-61页 |
| 3.4.5 单台阶的推移 | 第61-64页 |
| 3.4.6 扇形台阶的推移 | 第64-65页 |
| 3.4.7 晶体生长的恢复 | 第65-67页 |
| 3.4.8 台阶的竞争与台阶聚并 | 第67-70页 |
| 3.4.9 各向异性的台阶推移 | 第70-71页 |
| 3.4.10 台阶列的推移 | 第71-74页 |
| 3.5 小结 | 第74-77页 |
| 4 不同过饱和度下 ZTS 晶体（100）面生长机理 | 第77-87页 |
| 4.1 引言 | 第77-78页 |
| 4.2 实验 | 第78页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第78-86页 |
| 4.3.1 刃位错处成核特性 | 第78-81页 |
| 4.3.2 二维核成核特性 | 第81-84页 |
| 4.3.3 优先生长 | 第84-86页 |
| 4.4 小结 | 第86-87页 |
| 5 ZTS 晶体（100）面台阶动力学 | 第87-95页 |
| 5.1 引言 | 第87页 |
| 5.2 实验 | 第87页 |
| 5.3 实验结果与讨论 | 第87-94页 |
| 5.3.1 溶液中生长基元向台阶中扭折的扩散方式 | 第87-92页 |
| 5.3.2 台阶棱边能的计算 | 第92-94页 |
| 5.4 小结 | 第94-95页 |
| 6 L-丙氨酸掺杂下 ZTS 晶体（100）面生长现象 | 第95-105页 |
| 6.1 引言 | 第95页 |
| 6.2 实验 | 第95页 |
| 6.3 实验结果与讨论 | 第95-104页 |
| 6.3.1 T=30℃，σ=3%，掺杂浓度为 1mol%时 ZTS 晶体（100）面生长过程 | 第95-96页 |
| 6.3.2 T=30℃，σ=3%，掺杂浓度为 2mol%时 ZTS 晶体（100）面生长过程 | 第96-99页 |
| 6.3.3 T=30℃，σ=3%，掺杂浓度为 3mol%时 ZTS 晶体（100）面生长过程 | 第99-100页 |
| 6.3.4 掺杂浓度对台阶推移的影响 | 第100页 |
| 6.3.5 T=30℃，σ=5%，掺杂浓度为 2mol%时 ZTS 晶体（100）面生长过程 | 第100-104页 |
| 6.4 小结 | 第104-105页 |
| 7 ZTS 晶体缺陷 | 第105-123页 |
| 7.1 引言 | 第105页 |
| 7.2 ZTS 晶体位错观察 | 第105-109页 |
| 7.2.1 实验过程 | 第107页 |
| 7.2.2 实验结果与讨论 | 第107-109页 |
| 7.3 空洞 | 第109-113页 |
| 7.4 杂质分界点 | 第113-116页 |
| 7.5 散射颗粒与包裹体 | 第116-120页 |
| 7.6 开裂与楔化 | 第120-121页 |
| 7.7 小结 | 第121-123页 |
| 8 结论与展望 | 第123-127页 |
| 8.1 论文的主要结论 | 第123-124页 |
| 8.2 论文的创新点 | 第124-125页 |
| 8.3 后续工作的展望 | 第125-127页 |
| 致谢 | 第127-129页 |
| 参考文献 | 第129-143页 |
| 附录 | 第143-144页 |
| A 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第143-144页 |
| B 攻读博士学位期间参加的科研项目 | 第144页 |
| C 攻读博士学位期间发明的专利 | 第144页 |
