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宽频纳米结构光天线特性的研究

摘要第10-13页
ABSTRACT第13-16页
论文中常用符号说明第17-18页
第一章 绪论第18-41页
    1.1 研究背景和意义第18-22页
    1.2 表面等离激元和局域表面等离激元第22-26页
    1.3 纳米天线的基本结构和主要性能参数第26-33页
        1.3.1 纳米天线的基本结构第26-27页
        1.3.2 纳米天线的主要性能参数第27-33页
    1.4 光纳米天线的应用第33-36页
    1.5 本文主要内容第36-37页
    1.6 参考文献第37-41页
第二章 纳米光天线的数值分析方法第41-59页
    2.1 FDTD算法基本原理第41-45页
    2.2 FDTD的数值稳定性和数值色散第45-46页
        2.2.1 数值稳定性第45-46页
        2.2.2 数值色散第46页
    2.3 激励源的设置第46-50页
        2.3.1 平面波源第46-48页
        2.3.2 点源第48-50页
    2.4 边界条件第50-54页
        2.4.1 Mur吸收边界条件第50-51页
        2.4.2 完美匹配层(Perfectly Matched Layer)第51-54页
    2.5 FDTD方法中Drude色散模型第54-57页
    2.6 本章小结第57页
    2.7 参考文献第57-59页
第三章 蝴蝶结型纳米光天线第59-72页
    3.1 蝴蝶结型纳米光天线研究背景第59-60页
    3.2 蝴蝶结型纳米光天线仿真模型第60-62页
    3.3 仿真结果与讨论第62-70页
        3.3.1 扇形半径对Purcell因子及场分布的影响第62-63页
        3.3.2 扇形展开角对Purcell因子及电场分布的影响第63-65页
        3.3.3 扇形尖端曲率半径对Purcell因子及场分布的影响第65-67页
        3.3.4 天线的长度对Purcell因子及场增强的影响第67-68页
        3.3.5 蝴蝶结型纳米天线的效率第68-70页
    3.4 本章小结第70页
    3.5 参考文献第70-72页
第四章 多谐振宽频带对数周期纳米天线第72-88页
    4.1 对数周期光天线的研究背景第72-73页
    4.2 对数周周期纳米天线的仿真模型及结构参数第73-74页
    4.3 仿真结果与讨论第74-85页
        4.3.1 齿形结构的半径对场增强和Purcell因子的影响第74-75页
        4.3.2 齿形部分的展开角对场增强和Purcell因子的影响第75-76页
        4.3.3 齿的个数对场增强和Purcell因子的影响第76-77页
        4.3.4 相邻齿之间的比例因子对场增强和Purcell因子的影响第77-79页
        4.3.5 扇形的展开角对场增强和Purcell因子的影响第79-80页
        4.3.6 两个齿形结构之间的间距对场增强和Purcell因子的影响第80-81页
        4.3.7 天线衬底的厚度对其近场的影响第81页
        4.3.8 天线的场增强与近场分布之间的内在联系第81-82页
        4.3.9 保角变换对其多谐振场增强特性的分析第82-83页
        4.3.10 与蝴蝶结型纳米天线场增强特性及Purcell因子性能的对比研究第83-85页
    4.4 本章小结第85页
    4.5 参考文献第85-88页
第五章 可调石墨烯宽频带对数周期齿形纳米天线第88-102页
    5.1 石墨烯的色散特性及介电常数拟合第89-91页
    5.2 石墨烯纳米天线的计算模型与公式第91-94页
    5.3 结果与讨论第94-99页
    5.4 本章小结第99页
    5.5 参考文献第99-102页
第六章 总结与展望第102-104页
    6.1 论文的主要工作和结果第102-103页
    6.2 论文的不足和可继续研究的内容第103-104页
致谢第104-106页
博士期间发表的论文与参与的项目第106-107页
    发表的学术论文第106页
    参与项目第106-107页
附录第107-123页
附件第123页

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