摘要 | 第10-13页 |
ABSTRACT | 第13-16页 |
论文中常用符号说明 | 第17-18页 |
第一章 绪论 | 第18-41页 |
1.1 研究背景和意义 | 第18-22页 |
1.2 表面等离激元和局域表面等离激元 | 第22-26页 |
1.3 纳米天线的基本结构和主要性能参数 | 第26-33页 |
1.3.1 纳米天线的基本结构 | 第26-27页 |
1.3.2 纳米天线的主要性能参数 | 第27-33页 |
1.4 光纳米天线的应用 | 第33-36页 |
1.5 本文主要内容 | 第36-37页 |
1.6 参考文献 | 第37-41页 |
第二章 纳米光天线的数值分析方法 | 第41-59页 |
2.1 FDTD算法基本原理 | 第41-45页 |
2.2 FDTD的数值稳定性和数值色散 | 第45-46页 |
2.2.1 数值稳定性 | 第45-46页 |
2.2.2 数值色散 | 第46页 |
2.3 激励源的设置 | 第46-50页 |
2.3.1 平面波源 | 第46-48页 |
2.3.2 点源 | 第48-50页 |
2.4 边界条件 | 第50-54页 |
2.4.1 Mur吸收边界条件 | 第50-51页 |
2.4.2 完美匹配层(Perfectly Matched Layer) | 第51-54页 |
2.5 FDTD方法中Drude色散模型 | 第54-57页 |
2.6 本章小结 | 第57页 |
2.7 参考文献 | 第57-59页 |
第三章 蝴蝶结型纳米光天线 | 第59-72页 |
3.1 蝴蝶结型纳米光天线研究背景 | 第59-60页 |
3.2 蝴蝶结型纳米光天线仿真模型 | 第60-62页 |
3.3 仿真结果与讨论 | 第62-70页 |
3.3.1 扇形半径对Purcell因子及场分布的影响 | 第62-63页 |
3.3.2 扇形展开角对Purcell因子及电场分布的影响 | 第63-65页 |
3.3.3 扇形尖端曲率半径对Purcell因子及场分布的影响 | 第65-67页 |
3.3.4 天线的长度对Purcell因子及场增强的影响 | 第67-68页 |
3.3.5 蝴蝶结型纳米天线的效率 | 第68-70页 |
3.4 本章小结 | 第70页 |
3.5 参考文献 | 第70-72页 |
第四章 多谐振宽频带对数周期纳米天线 | 第72-88页 |
4.1 对数周期光天线的研究背景 | 第72-73页 |
4.2 对数周周期纳米天线的仿真模型及结构参数 | 第73-74页 |
4.3 仿真结果与讨论 | 第74-85页 |
4.3.1 齿形结构的半径对场增强和Purcell因子的影响 | 第74-75页 |
4.3.2 齿形部分的展开角对场增强和Purcell因子的影响 | 第75-76页 |
4.3.3 齿的个数对场增强和Purcell因子的影响 | 第76-77页 |
4.3.4 相邻齿之间的比例因子对场增强和Purcell因子的影响 | 第77-79页 |
4.3.5 扇形的展开角对场增强和Purcell因子的影响 | 第79-80页 |
4.3.6 两个齿形结构之间的间距对场增强和Purcell因子的影响 | 第80-81页 |
4.3.7 天线衬底的厚度对其近场的影响 | 第81页 |
4.3.8 天线的场增强与近场分布之间的内在联系 | 第81-82页 |
4.3.9 保角变换对其多谐振场增强特性的分析 | 第82-83页 |
4.3.10 与蝴蝶结型纳米天线场增强特性及Purcell因子性能的对比研究 | 第83-85页 |
4.4 本章小结 | 第85页 |
4.5 参考文献 | 第85-88页 |
第五章 可调石墨烯宽频带对数周期齿形纳米天线 | 第88-102页 |
5.1 石墨烯的色散特性及介电常数拟合 | 第89-91页 |
5.2 石墨烯纳米天线的计算模型与公式 | 第91-94页 |
5.3 结果与讨论 | 第94-99页 |
5.4 本章小结 | 第99页 |
5.5 参考文献 | 第99-102页 |
第六章 总结与展望 | 第102-104页 |
6.1 论文的主要工作和结果 | 第102-103页 |
6.2 论文的不足和可继续研究的内容 | 第103-104页 |
致谢 | 第104-106页 |
博士期间发表的论文与参与的项目 | 第106-107页 |
发表的学术论文 | 第106页 |
参与项目 | 第106-107页 |
附录 | 第107-123页 |
附件 | 第123页 |