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单粒子软错误在电路中的传播过程研究

摘要第9-10页
ABSTRACT第10页
第一章 绪论第11-19页
    1.1 课题研究背景及意义第11-15页
        1.1.1 空间辐射环境第11-12页
        1.1.2 单粒子效应第12-14页
        1.1.3 单粒子软错误第14页
        1.1.4 课题研究意义第14-15页
    1.2 国内外研究现状第15-17页
        1.2.1 单粒子软错误传播过程第15-16页
        1.2.2 加速器重离子实验第16-17页
        1.2.3 单粒子软错误传播分析方法第17页
    1.3 论文主要研究工作及章节安排第17-19页
第二章 单粒子软错误传播的影响因素分析第19-27页
    2.1 全局影响因素第20-22页
        2.1.1 频率因素对软错误的影响第20-21页
        2.1.2 工艺尺寸对软错误的影响第21-22页
    2.2 局部影响因素第22-25页
        2.2.1 逻辑屏蔽效应对软错误的影响第22页
        2.2.2 电气屏蔽效应对软错误的影响第22-23页
        2.2.3 锁存窗屏蔽效应对软错误的影响第23页
        2.2.4 重汇聚耦合效应对软错误的影响第23-25页
    2.3 单元影响因素第25-26页
        2.3.1 组合逻辑电路单元第25页
        2.3.2 时序逻辑电路单元第25-26页
    2.4 本章小结第26-27页
第三章 软错误传播影响因素重离子实验设计及分析第27-38页
    3.1 实验条件第27-30页
        3.1.1.实验样品及束流条件第27-28页
        3.1.2 实验现场第28-30页
    3.2 时序逻辑电路和组合逻辑电路对单粒子软错误的影响第30-33页
        3.2.1 实验过程第30-31页
        3.2.2 实验结果及分析第31-33页
    3.3 电路逻辑单元对单粒子软错误传播的影响第33-35页
        3.3.1 实验过程第33页
        3.3.2 实验结果及分析第33-35页
    3.4 工作频率对单粒子软错误传播的影响第35-37页
        3.4.1 实验过程第35页
        3.4.2 实验结果及分析第35-37页
    3.5 本章小结第37-38页
第四章 电路级单粒子软错误传播模型研究第38-47页
    4.1 电路级单粒子软错误模型第38-41页
        4.1.1 软错误产生模型第38-39页
        4.1.2 软错误传播理论模型第39-41页
    4.2 单粒子软错误在电路中的传播过程描述第41-46页
        4.2.1 软错误逻辑屏蔽描述第41-42页
        4.2.2 逻辑单元对软错误传播的影响描述第42-44页
        4.2.3 软错误重汇聚描述第44-46页
    4.3 本章小结第46-47页
第五章 电路级单粒子软错误传播分析第47-58页
    5.1 单粒子软错误率传播量化分析第47-52页
        5.1.1 软错误率分析基本原理第47页
        5.1.2 SET软错误特性的模拟第47-49页
        5.1.3 SET锁存概率的计算第49-51页
        5.1.4 软错误率的计算第51-52页
    5.2 单粒子软错误率传播分析软件设计第52-55页
        5.2.1 软件工作流程第52-54页
        5.2.2 软件工作实例第54-55页
    5.3 软错误率传播分析结果第55-57页
    5.4 本章小结第57-58页
第六章 总结与展望第58-59页
致谢第59-61页
参考文献第61-64页
作者在学期间取得的学术成果第64页

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