摘要 | 第9-10页 |
ABSTRACT | 第10页 |
第一章 绪论 | 第11-19页 |
1.1 课题研究背景及意义 | 第11-15页 |
1.1.1 空间辐射环境 | 第11-12页 |
1.1.2 单粒子效应 | 第12-14页 |
1.1.3 单粒子软错误 | 第14页 |
1.1.4 课题研究意义 | 第14-15页 |
1.2 国内外研究现状 | 第15-17页 |
1.2.1 单粒子软错误传播过程 | 第15-16页 |
1.2.2 加速器重离子实验 | 第16-17页 |
1.2.3 单粒子软错误传播分析方法 | 第17页 |
1.3 论文主要研究工作及章节安排 | 第17-19页 |
第二章 单粒子软错误传播的影响因素分析 | 第19-27页 |
2.1 全局影响因素 | 第20-22页 |
2.1.1 频率因素对软错误的影响 | 第20-21页 |
2.1.2 工艺尺寸对软错误的影响 | 第21-22页 |
2.2 局部影响因素 | 第22-25页 |
2.2.1 逻辑屏蔽效应对软错误的影响 | 第22页 |
2.2.2 电气屏蔽效应对软错误的影响 | 第22-23页 |
2.2.3 锁存窗屏蔽效应对软错误的影响 | 第23页 |
2.2.4 重汇聚耦合效应对软错误的影响 | 第23-25页 |
2.3 单元影响因素 | 第25-26页 |
2.3.1 组合逻辑电路单元 | 第25页 |
2.3.2 时序逻辑电路单元 | 第25-26页 |
2.4 本章小结 | 第26-27页 |
第三章 软错误传播影响因素重离子实验设计及分析 | 第27-38页 |
3.1 实验条件 | 第27-30页 |
3.1.1.实验样品及束流条件 | 第27-28页 |
3.1.2 实验现场 | 第28-30页 |
3.2 时序逻辑电路和组合逻辑电路对单粒子软错误的影响 | 第30-33页 |
3.2.1 实验过程 | 第30-31页 |
3.2.2 实验结果及分析 | 第31-33页 |
3.3 电路逻辑单元对单粒子软错误传播的影响 | 第33-35页 |
3.3.1 实验过程 | 第33页 |
3.3.2 实验结果及分析 | 第33-35页 |
3.4 工作频率对单粒子软错误传播的影响 | 第35-37页 |
3.4.1 实验过程 | 第35页 |
3.4.2 实验结果及分析 | 第35-37页 |
3.5 本章小结 | 第37-38页 |
第四章 电路级单粒子软错误传播模型研究 | 第38-47页 |
4.1 电路级单粒子软错误模型 | 第38-41页 |
4.1.1 软错误产生模型 | 第38-39页 |
4.1.2 软错误传播理论模型 | 第39-41页 |
4.2 单粒子软错误在电路中的传播过程描述 | 第41-46页 |
4.2.1 软错误逻辑屏蔽描述 | 第41-42页 |
4.2.2 逻辑单元对软错误传播的影响描述 | 第42-44页 |
4.2.3 软错误重汇聚描述 | 第44-46页 |
4.3 本章小结 | 第46-47页 |
第五章 电路级单粒子软错误传播分析 | 第47-58页 |
5.1 单粒子软错误率传播量化分析 | 第47-52页 |
5.1.1 软错误率分析基本原理 | 第47页 |
5.1.2 SET软错误特性的模拟 | 第47-49页 |
5.1.3 SET锁存概率的计算 | 第49-51页 |
5.1.4 软错误率的计算 | 第51-52页 |
5.2 单粒子软错误率传播分析软件设计 | 第52-55页 |
5.2.1 软件工作流程 | 第52-54页 |
5.2.2 软件工作实例 | 第54-55页 |
5.3 软错误率传播分析结果 | 第55-57页 |
5.4 本章小结 | 第57-58页 |
第六章 总结与展望 | 第58-59页 |
致谢 | 第59-61页 |
参考文献 | 第61-64页 |
作者在学期间取得的学术成果 | 第64页 |