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单结GaAs/Ge、单晶硅太阳能电池的激光辐照效应研究

摘要第11-13页
ABSTRACT第13-14页
第一章 绪论第15-22页
    1.1 研究背景和意义第15页
    1.2 国内外研究现状第15-20页
        1.2.1 太阳能电池激光加工的研究现状第16页
        1.2.2 激光辐照太阳能电池的最新研究第16-17页
        1.2.3 太阳能电池激光供能的研究现状第17-18页
        1.2.4 太阳能电池激光损伤效应研究现状第18-20页
    1.3 研究思路和论文结构第20-22页
        1.3.1 研究思路第20页
        1.3.2 论文结构第20-22页
第二章 太阳能电池的物理基础第22-35页
    2.1 太阳能电池的工作原理第22页
    2.2 太阳能电池的工作特性及参数第22-29页
        2.2.1 伏安特性第22-24页
        2.2.2 短路电流第24-25页
        2.2.3 开路电压第25页
        2.2.4 量子效率谱第25-26页
        2.2.5 频谱响应SR(spectral response)第26页
        2.2.6 填充因子第26页
        2.2.7 功率转换效率第26-27页
        2.2.8 寄生电阻效应第27-28页
        2.2.9 温度效应对I-V曲线的影响第28-29页
    2.3 单结异质结GaAs/Ge太阳能电池结构及工作特性第29-32页
        2.3.1 Ⅲ—Ⅴ族太阳能电池第29-30页
        2.3.2 单结GaAs太阳能电池及其特性第30-32页
    2.4 单晶硅太阳能电池的结构及工作特性第32-35页
        2.4.1 单晶硅太阳能电池的分类及结构第32-33页
        2.4.2 单晶硅太阳能电池的工作特性第33-35页
第三章 单结GaAs/Ge太阳能电池激光辐照效应研究第35-61页
    3.1 实验方案及实验器件简介第35-36页
        3.1.1 实验样品简介第35页
        3.1.2 实验光路及实验器件简介第35-36页
    3.2 532nm激光辐照单结GaAs/Ge太阳能电池的实验研究第36-49页
        3.2.1 纳秒激光辐照单结异质结GaAs/Ge太阳能电池第36-42页
        3.2.2 皮秒激光辐照单结异质结GaAs/Ge太阳能电池第42-45页
        3.2.3 连续激光辐照单结异质结GaAs/Ge太阳能电池第45-49页
    3.3 1064nm激光辐照单结GaAs/Ge太阳能电池的实验研究第49-58页
        3.3.1 纳秒激光辐照单结异质结GaAs/Ge太阳能电池第49-52页
        3.3.2 皮秒激光辐照单结异质结GaAs/Ge太阳能电池第52-55页
        3.3.3 连续激光辐照单结异质结GaAs/Ge太阳能电池第55-58页
    3.4 损伤机理对比研究第58-59页
        3.4.1 532nm与1064nm两种波长激光损伤机理对比研究第58页
        3.4.2 不同脉宽脉冲激光辐照电池损伤对比研究第58-59页
        3.4.3 连续与脉冲激光辐照电池损伤机制对比研究第59页
    3.5 本章总结第59-61页
第四章 单晶硅太阳能电池激光辐照效应研究第61-88页
    4.1 实验方案及实验器件简介第61-62页
        4.1.1 实验样品简介第61页
        4.1.2 实验光路及实验器件简介第61-62页
    4.2 532nm激光辐照单晶硅太阳能电池实验研究第62-73页
        4.2.1 纳秒激光辐照单晶硅太阳能电池第62-65页
        4.2.2 皮秒激光辐照单晶硅太阳能电池第65-70页
        4.2.3 连续激光辐照单晶硅太阳能电池第70-73页
    4.3 1064nm激光辐照单晶硅太阳能电池实验研究第73-83页
        4.3.1 纳秒激光辐照单晶硅太阳能电池第73-77页
        4.3.2 皮秒激光辐照单晶硅太阳能电池第77-81页
        4.3.3 连续激光辐照单晶硅太阳能电池第81-83页
    4.4 损伤机理对比研究第83-85页
        4.4.1 波段内532nm与1064nm波长的损伤结果对比分析第83-84页
        4.4.2 脉冲激光与连续激光辐照电池实验结果对比分析第84-85页
    4.5 本章总结第85-88页
第五章 单结GaAs/Ge、单晶硅电池的激光损伤机理对比研究第88-93页
    5.1 单结GaAs/Ge、单晶硅太阳能电池损伤机制的对比第88页
    5.2 激光辐照太阳能电池的温升特性分析第88-93页
        5.2.1 热传导方程第88-89页
        5.2.2 连续激光辐照半导体材料的温升模型第89-91页
        5.2.3 纳秒脉冲激光辐照半导体材料的温升模型第91-92页
        5.2.4 本章总结第92-93页
第六章 总结与展望第93-95页
    6.1 主要工作与结论第93-94页
    6.2 展望第94-95页
致谢第95-96页
参考文献第96-102页
作者在学期间取得的学术成果第102页

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