| 摘要 | 第2-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 碳化硅肖特基二极管研究进展 | 第8-23页 |
| 1.1 金属-半导体肖特基接触理论 | 第8-15页 |
| 1.1.1 金属、半导体的功函数 | 第9-10页 |
| 1.1.2 肖特基势垒 | 第10-11页 |
| 1.1.3 表面态对势垒高度的影响 | 第11-13页 |
| 1.1.4 镜象力和隧道效应的影响 | 第13-15页 |
| 1.2 碳化硅材料 | 第15-18页 |
| 1.2.1 碳化硅材料性质 | 第15-17页 |
| 1.2.2 碳化硅材料生长 | 第17-18页 |
| 1.3 碳化硅功率器件 | 第18-21页 |
| 1.3.1 碳化硅功率器件 | 第18-19页 |
| 1.3.2 碳化硅肖特基二极管研究现状 | 第19-20页 |
| 1.3.3 碳化硅肖特基二极管存在的问题与挑战 | 第20-21页 |
| 1.4 论文主要研究内容及架构 | 第21-23页 |
| 第二章 碳化硅肖特基二极管制备 | 第23-28页 |
| 2.1 SiC肖特基二极管的制备 | 第23-27页 |
| 2.1.1 基本RCA清洗 | 第23-24页 |
| 2.1.2 欧姆接触电极制备 | 第24-25页 |
| 2.1.3 肖特基电极制备 | 第25-27页 |
| 2.2 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 碳化硅肖特基二极管电学参数提取方法研究 | 第28-41页 |
| 3.1 电流-电压法（I-V法） | 第28-29页 |
| 3.2 电容-电压法（C-V法） | 第29页 |
| 3.3 组合电流法（Combined Current Method） | 第29-36页 |
| 3.3.1 热电子发射电流 | 第29-33页 |
| 3.3.2 隧穿电流 | 第33-34页 |
| 3.3.3 复合电流 | 第34页 |
| 3.3.4 空穴注入电流 | 第34页 |
| 3.3.5 组合电流法提取参数的方法 | 第34-36页 |
| 3.4 组合电流法在SiC肖特基二极管参数提取中的应用 | 第36-40页 |
| 3.4.1 表面处理对SiC肖特基二极管特性影响研究 | 第36-39页 |
| 3.4.2 HF处理SiC肖特基二极管的重复性 | 第39-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 碳化硅肖特基二极管性能研究 | 第41-58页 |
| 4.1 碳化硅肖特基二极管的电学特性 | 第41-52页 |
| 4.1.1 退火处理对二极管电学性能的影响 | 第41-43页 |
| 4.1.2 肖特基二极管高温电学性能 | 第43-52页 |
| 4.2 碳化硅肖特基二极管的电容特性 | 第52-57页 |
| 4.2.1 退火处理对掺杂浓度的影响 | 第52-55页 |
| 4.2.2 肖特基二极管的电容-频率特性 | 第55-57页 |
| 4.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 总结 | 第58-59页 |
| 5.2 展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读硕士期间主要研究成果 | 第65-67页 |
| 附件 | 第67页 |
