| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-36页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 气体传感器概述 | 第13-18页 |
| 1.2.1 气体传感器的分类 | 第14-16页 |
| 1.2.2 气体传感器的结构与制备 | 第16-17页 |
| 1.2.3 智能算法 | 第17-18页 |
| 1.3 半导体氧化物型气体传感器 | 第18-26页 |
| 1.3.1 主要特性与优势 | 第18-24页 |
| 1.3.2 敏感机理 | 第24-26页 |
| 1.4 半导体氧化物敏感材料 | 第26-34页 |
| 1.4.1 国内外研究现状与趋势 | 第27-28页 |
| 1.4.2 半导体氧化物的增感 | 第28-34页 |
| 1.5 选题思路及架构 | 第34-36页 |
| 第2章 基于分等级结构SnO_2的一氧化碳传感器 | 第36-60页 |
| 2.1 序言 | 第36页 |
| 2.2 基于分等级结构Pd/SnO_2的一氧化碳传感器 | 第36-45页 |
| 2.2.1 分等级结构Pd/SnO_2制备与表征 | 第37-40页 |
| 2.2.2 器件的制作与测试 | 第40-41页 |
| 2.2.3 器件敏感特性 | 第41-45页 |
| 2.3 基于分等级结构Pt/SnO_2的一氧化碳传感器 | 第45-58页 |
| 2.3.1 分等级结构Pt/SnO_2制备与表征 | 第45-50页 |
| 2.3.2 器件敏感特性 | 第50-58页 |
| 2.4 贵金属增强SnO_2一氧化碳敏感特性的机理分析 | 第58-59页 |
| 2.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 第3章 基于中空结构Pd/SnO_2的一氧化碳传感器 | 第60-74页 |
| 3.1 序言 | 第60页 |
| 3.2 中空结构Pd/SnO_2制备与表征 | 第60-64页 |
| 3.2.1 中空结构Pd/SnO_2制备 | 第60-61页 |
| 3.2.2 中空结构Pd/SnO_2表征和器件的制作与测试 | 第61-64页 |
| 3.3 器件敏感特性 | 第64-69页 |
| 3.4 密度泛函理论研究一氧化碳在Pd/SnO_2上的反应机理 | 第69-73页 |
| 3.4.1 计算模型的建立 | 第69-70页 |
| 3.4.2 密度泛函（DFT）计算方法 | 第70页 |
| 3.4.3 结果与讨论 | 第70-73页 |
| 3.5 本章小结 | 第73-74页 |
| 第4章 复合半导体氧化物材料的乙醇传感器 | 第74-108页 |
| 4.1 序言 | 第74页 |
| 4.2 基于铟-锡复合氧化物的乙醇传感器 | 第74-85页 |
| 4.2.1 铟-锡复合氧化物制备与表征 | 第75-79页 |
| 4.2.2 器件敏感特性 | 第79-83页 |
| 4.2.3 敏感机理分析 | 第83-85页 |
| 4.3 基于钴-锡复合氧化物的乙醇传感器 | 第85-99页 |
| 4.3.1 钴-锡复合氧化物制备与表征 | 第85-91页 |
| 4.3.2 器件敏感特性 | 第91-96页 |
| 4.3.3 敏感机理分析 | 第96-99页 |
| 4.4 基于CoO/SnO_2异质结的乙醇传感器 | 第99-106页 |
| 4.4.1 CoO/SnO_2异质结制备与表征 | 第99-102页 |
| 4.4.2 器件敏感特性 | 第102-106页 |
| 4.5 本章小结 | 第106-108页 |
| 第5章 结论与展望 | 第108-112页 |
| 参考文献 | 第112-134页 |
| 作者简介 | 第134-135页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第135-136页 |
| 致谢 | 第136页 |
