中文摘要 | 第4-5页 |
英文摘要 | 第5页 |
第1章 绪论 | 第8-21页 |
1.1 引言 | 第8-10页 |
1.2 纤维状有机场效应晶体管 | 第10-15页 |
1.2.1 纤维状有机场效应晶体管基本原理 | 第10页 |
1.2.2 纤维状有机场效应晶体管基本参数 | 第10-12页 |
1.2.3 纤维状有机场效应晶体管的优势与应用 | 第12-13页 |
1.2.4 纤维状有机场效应晶体管的研究现状 | 第13-15页 |
1.3 纤维状有机微纳单晶场效应晶体管 | 第15-19页 |
1.3.1 纤维状有机微纳单晶场效应晶体管的研究意义 | 第15-16页 |
1.3.2 有机微纳单晶场效应晶体管及其电路的构筑方法 | 第16-19页 |
1.4 本论文的选题依据与研究内容 | 第19-21页 |
第2章 基于直接构筑法制备纤维状CuPc纳米带场效应晶体管 | 第21-33页 |
2.1 p型CuPc微纳单晶的生长及表征 | 第21-22页 |
2.2 器件的制备工艺 | 第22-25页 |
2.3 器件的表征 | 第25-26页 |
2.4 器件的电学性能测试 | 第26-31页 |
2.4.1 器件的电容计算模型 | 第26-28页 |
2.4.2 器件的电学性能 | 第28-29页 |
2.4.3 实验结果与讨论 | 第29-31页 |
2.5 器件的外接结构设计 | 第31-33页 |
第3章 基于拼图技术路线制备纤维状CuPc/F16CuPc纳米带场效应晶体管及其电路 | 第33-48页 |
3.1 n型F_(16)CuPc微纳单晶材料的生长及表征 | 第33-35页 |
3.2 器件的制备工艺 | 第35-38页 |
3.3 器件的结构优化及表征 | 第38-39页 |
3.3.1 器件的结构优化 | 第38页 |
3.3.2 器件的结构表征 | 第38-39页 |
3.4 器件的性能测试 | 第39-41页 |
3.4.1 器件的电学性能测试 | 第39-40页 |
3.4.2 器件的弯曲性能测试 | 第40-41页 |
3.5 基于CuPc/F_(16)CuPc纳米带的纤维状有机逻辑电路的制备 | 第41-44页 |
3.5.1 器件的构筑及结构表征 | 第41-43页 |
3.5.2 器件的静态电学性能测试 | 第43-44页 |
3.6 拼图技术路线的优化研究 | 第44-48页 |
3.6.1 拼图技术路线的优化 | 第44-45页 |
3.6.2 优化后器件稳定性的研究 | 第45-48页 |
第4章 总结 | 第48-50页 |
参考文献 | 第50-56页 |
致谢 | 第56-57页 |
在学期间公开发表论文、申请专利及参加会议情况 | 第57页 |