| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-13页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 基准源的国内外研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第12-13页 |
| 第二章 基准电压源的基础理论 | 第13-34页 |
| 2.1 基准电压源的分类 | 第13-17页 |
| 2.1.1 正向偏置二极管基准源 | 第13-14页 |
| 2.1.2 齐纳基准源 | 第14-15页 |
| 2.1.3 带隙基准电压源 | 第15-17页 |
| 2.2 带隙基准电压源的分类 | 第17-21页 |
| 2.2.1 双极型带隙基准电压源 | 第18-19页 |
| 2.2.2 CMOS带隙基准电压源 | 第19-21页 |
| 2.3 带隙基准电压源的基本核心结构 | 第21-24页 |
| 2.3.1 Brokaw带隙基准电压源 | 第21-22页 |
| 2.3.2 Kuijk带隙基准电压源 | 第22-23页 |
| 2.3.3 Widlar带隙基准电压源 | 第23-24页 |
| 2.4 带隙基准源高阶温度补偿的原理 | 第24-26页 |
| 2.5 常见带隙基准源高阶温度补偿方法 | 第26-33页 |
| 2.5.1 电阻比例补偿技术 | 第27-29页 |
| 2.5.2 二极管环路补偿技术 | 第29-30页 |
| 2.5.3 指数补偿技术 | 第30-31页 |
| 2.5.4 分段线性电流模技术 | 第31-33页 |
| 2.6 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 高阶带隙基准电压源的优化设计 | 第34-53页 |
| 3.1 一阶带隙基准电压源核心电路的设计 | 第34-41页 |
| 3.1.1 一阶带隙基准电压源核心电路的设计与分析 | 第34-36页 |
| 3.1.2 一阶带隙基准电压源温度特性的分析 | 第36-37页 |
| 3.1.3 一阶带隙基准电压源电源抑制特性的分析 | 第37-41页 |
| 3.2 高阶带隙基准电压源的优化设计 | 第41-52页 |
| 3.2.1 高阶带隙基准电压源输出级的设计 | 第41-43页 |
| 3.2.2 带隙基准电压源电源抑制能力的提升 | 第43-47页 |
| 3.2.3 带隙基准电压源温度稳定性的提升 | 第47-52页 |
| 3.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 高阶带隙基准电压源的仿真分析 | 第53-60页 |
| 4.1 仿真工具简介及容差分析方法 | 第53-54页 |
| 4.2 高阶带隙基准电压源的仿真结果与分析 | 第54-59页 |
| 4.2.1 温度特性 | 第54-55页 |
| 4.2.2 电源抑制比 | 第55-56页 |
| 4.2.3 电源电压调整率 | 第56-57页 |
| 4.2.4 基准源环路稳定性 | 第57-58页 |
| 4.2.5 启动时间 | 第58-59页 |
| 4.2.6 与参考文献的比较 | 第59页 |
| 4.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 结论与未来的工作 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第68页 |