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二维材料中电子自旋和谷自由度的掺杂和吸附调控

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第14-26页
    1.1 引言第14-16页
    1.2 理论背景第16-24页
        1.2.1 模型哈密顿量第16-19页
        1.2.2 谷相关的物理第19-22页
        1.2.3 谷自由度与反铁磁序耦合第22-24页
    1.3 本文的结构第24-26页
2 第一性原理与密度泛函理论第26-34页
    2.1 近绝热近似第26-28页
    2.2 单电子近似第28-29页
    2.3 密度泛函理论第29-32页
        2.3.1 Hohenberg-Kohn定理与Kohn-Sham方程第29-30页
        2.3.2 交换关联势的几种近似第30-31页
        2.3.3 自旋轨道耦合(SOC)的DFT第31-32页
    2.4 计算软件介绍第32-34页
3 单层过渡金属二硫属化物谷劈裂的吸附调控第34-44页
    3.1 引言第34页
    3.2 模型分析第34-36页
    3.3 计算方法第36-37页
    3.4 结果与讨论第37-43页
        3.4.1 吸附能第37-38页
        3.4.2 谷劈裂第38-40页
        3.4.3 反常电荷、自旋、谷霍尔效应第40-43页
    3.5 小结第43-44页
4 单层MnPSe_3中自旋和谷劈裂的掺杂调控第44-60页
    4.1 引言第44-45页
    4.2 模型分析第45-48页
        4.2.1 单层MnPX_3的几何结构与能带结构第45-46页
        4.2.2 模型哈密顿量第46-48页
    4.3 Zn掺杂单层反铁磁MnPSe_3第48-53页
        4.3.1 掺杂模型与计算方法第48页
        4.3.2 计算结果与讨论第48-53页
    4.4 其他原子掺杂单层MnPSe_3第53-58页
    4.5 小结第58-60页
5 总结与展望第60-62页
参考文献第62-66页
致谢第66-68页
作者简历第68-70页
学位论文数据集第70页

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