神经形态计算中的忆阻器电子突触研究
| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-16页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第12-14页 |
| 1.2 研究内容 | 第14-15页 |
| 1.3 论文主要工作和章节安排 | 第15-16页 |
| 第二章 忆阻器电子突触综述 | 第16-28页 |
| 2.1 忆阻器的基本特性 | 第16-22页 |
| 2.1.1 忆阻器的阻变特性与电学操作 | 第16-17页 |
| 2.1.2 忆阻器的材料体系与阻变机理 | 第17-22页 |
| 2.2 忆阻器电子突触综述 | 第22-27页 |
| 2.2.1 突触可塑性简介 | 第22-25页 |
| 2.2.2 基于忆阻器的突触可塑性模拟 | 第25-27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 阳离子基忆阻器电子突触研究 | 第28-45页 |
| 3.1 阳离子基忆阻器电子突触设计 | 第28-32页 |
| 3.1.1 器件设计目标 | 第28-30页 |
| 3.1.2 器件材料遴选 | 第30-31页 |
| 3.1.3 器件结构设计 | 第31-32页 |
| 3.2 阳离子基忆阻器电子突触器件制备与结构表征 | 第32-35页 |
| 3.2.1 器件制备工艺选择 | 第32-33页 |
| 3.2.2 器件制备工艺流程 | 第33-34页 |
| 3.2.3 器件结构表征 | 第34-35页 |
| 3.3 阳离子基忆阻器电子突触的突触性能分析 | 第35-43页 |
| 3.3.1 表征测试方案 | 第35页 |
| 3.3.2 阻变性能分析 | 第35-38页 |
| 3.3.3 突触性能分析 | 第38-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 氧空位型忆阻器电子突触研究 | 第45-62页 |
| 4.1 氧空位型忆阻器电子突触设计 | 第45-47页 |
| 4.1.1 器件设计目标 | 第45-47页 |
| 4.1.2 器件材料遴选与结构设计 | 第47页 |
| 4.2 氧空位型忆阻器电子突触器件制备与结构表征 | 第47-50页 |
| 4.2.1 器件制备工艺选择 | 第48页 |
| 4.2.2 器件制备工艺流程 | 第48-49页 |
| 4.2.3 基于TEM的器件结构表征 | 第49-50页 |
| 4.3 氧空位型忆阻器电子突触的突触性能分析 | 第50-60页 |
| 4.3.1 表征测试方案 | 第50页 |
| 4.3.2 阻变性能分析 | 第50-53页 |
| 4.3.3 突触性能分析 | 第53-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 第五章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 5.1 总结 | 第62-63页 |
| 5.2 下一步工作 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第71页 |
