| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第11-12页 |
| 1.2 发展历程及国内外研究现状 | 第12-17页 |
| 1.2.1 阵列天线去耦合发展历程及研究现状 | 第12-14页 |
| 1.2.2 无源/有源超材料发展历程及研究现状 | 第14-17页 |
| 1.3 论文安排 | 第17-19页 |
| 第2章 阵列天线及超材料相关理论 | 第19-37页 |
| 2.1 阵列天线及互耦效应 | 第19-22页 |
| 2.1.1 阵列天线基本理论 | 第19-21页 |
| 2.1.2 阵列天线中的互耦效应 | 第21-22页 |
| 2.2 超材料基本理论 | 第22-27页 |
| 2.2.1 超材料的定义 | 第22-23页 |
| 2.2.2 超材料基本结构及其数学模型 | 第23-27页 |
| 2.3 超材料等效电磁参数 | 第27-29页 |
| 2.3.1 S参数提取方法 | 第27-29页 |
| 2.3.2 Kramers-Kronig关系式确定唯一解 | 第29页 |
| 2.4 超材料吸波结构 | 第29-31页 |
| 2.5 有源超材料理论 | 第31-35页 |
| 2.5.1 超材料的损耗和色散 | 第31-32页 |
| 2.5.2 损耗和色散可控有源超材料 | 第32-35页 |
| 2.6 本章小节 | 第35-37页 |
| 第3章 超材料吸波结构及其等效参数 | 第37-51页 |
| 3.1 超材料的等效参数 | 第37-42页 |
| 3.1.1 频率外推法改进Kramers-Kronig关系式 | 第37-39页 |
| 3.1.2 改进的K-K关系式理论验证 | 第39-42页 |
| 3.2 超材料吸波结构设计 | 第42-49页 |
| 3.2.1 方螺旋结构超材料模型 | 第42-43页 |
| 3.2.2 方螺旋等效电磁参数的提取 | 第43-45页 |
| 3.2.3 方螺旋超材料吸收率分析 | 第45-47页 |
| 3.2.4 影响超材料吸收率的因素 | 第47-49页 |
| 3.3 本章小节 | 第49-51页 |
| 第4章 超材料抑制阵列天线互耦 | 第51-67页 |
| 4.1 电磁波的极化特性 | 第51-53页 |
| 4.1.1 线极化波的特性 | 第51-52页 |
| 4.1.2 圆极化波的特性 | 第52-53页 |
| 4.2 窄带阵列天线耦合抑制 | 第53-56页 |
| 4.2.1 窄带二元阵列天线及超材料去耦合结构模型 | 第53-54页 |
| 4.2.2 阵元间距为0.04λ_0的阵列天线去耦合分析 | 第54-56页 |
| 4.3 宽带单极子阵列天线耦合抑制 | 第56-61页 |
| 4.3.1 宽带单极子贴片天线单元设计 | 第56-58页 |
| 4.3.2 阵元间距为0.2λ_0的二元阵列去耦合分析 | 第58-60页 |
| 4.3.3 阵元间距为0.035λ_0的二元阵列去耦合分析 | 第60-61页 |
| 4.4 圆极化阵列天线耦合抑制 | 第61-66页 |
| 4.4.1 圆极化缝隙天线单元设计 | 第62-63页 |
| 4.4.2 阵元间距为0.12λ_0的二元阵列去耦合分析 | 第63-66页 |
| 4.5 本章小节 | 第66-67页 |
| 第5章 基于电路加载的有源超材料 | 第67-79页 |
| 5.1 单管负阻抗电路加载的增益超材料 | 第67-70页 |
| 5.1.1 超材料单元模型 | 第67-68页 |
| 5.1.2 单管负阻抗电路设计 | 第68-70页 |
| 5.1.3 单管负阻电路加载的增益超材料分析 | 第70页 |
| 5.2 双管负阻抗电路加载的宽带增益超材料 | 第70-77页 |
| 5.2.1 非Foster负阻抗变换电路理论 | 第71-73页 |
| 5.2.2 双管负阻抗电路设计 | 第73-76页 |
| 5.2.3 双管负阻电路加载的宽带增益超材料分析 | 第76-77页 |
| 5.3 本章小节 | 第77-79页 |
| 结论 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-89页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第89-91页 |
| 致谢 | 第91页 |
