基于氧化钽薄膜阻变器件制备及特性研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 阻变存储器(RRAM)简介 | 第10-12页 |
| 1.1.1 RRAM基本结构及操作原理 | 第10-11页 |
| 1.1.2 RRAM的性能指标 | 第11-12页 |
| 1.2 RRAM的阻变机理 | 第12-16页 |
| 1.2.1 电化学金属化存储器（ECM） | 第12-13页 |
| 1.2.2 价变存储器（VCM） | 第13-14页 |
| 1.2.3 热化学存储器（TCM） | 第14-15页 |
| 1.2.4 电荷的俘获与释放 | 第15页 |
| 1.2.5 界面效应 | 第15-16页 |
| 1.3 传输机制 | 第16-19页 |
| 1.3.1 欧姆传输机制 | 第16页 |
| 1.3.2 空间电荷限制电流 | 第16-18页 |
| 1.3.3 肖特基发射机制 | 第18页 |
| 1.3.4 Poole-Frenkel发射机制 | 第18-19页 |
| 1.3.5 隧穿机制 | 第19页 |
| 1.4 研究内容及研究意义 | 第19-21页 |
| 第二章 薄膜制备技术以及表征技术 | 第21-25页 |
| 2.1 薄膜沉积设备介绍及其原理 | 第21-22页 |
| 2.2 薄膜特性表征设备 | 第22-24页 |
| 2.2.1 原子力显微镜 | 第22-23页 |
| 2.2.2 椭圆偏振光谱仪 | 第23-24页 |
| 2.3 电学特性测试仪器 | 第24-25页 |
| 第三章 单层氧化钽结构阻变存储器特性研究 | 第25-51页 |
| 3.1 氧分压对氧化钽薄膜阻变特性的影响 | 第26-28页 |
| 3.2 TaO_x薄膜厚度对阻变特性的影响 | 第28-29页 |
| 3.3 钛层的位置对阻变特性的影响 | 第29-31页 |
| 3.4 测试条件对器件性能的影响 | 第31-42页 |
| 3.5 单层氧化钽样品阻变机理分析 | 第42-49页 |
| 3.6 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 叠层氧化钽结构阻变存储器特性研究 | 第51-58页 |
| 4.1 叠层氧化钽结构阻变器件的性能测试 | 第51-52页 |
| 4.2 叠层氧化钽结构加钛后阻变性能分析 | 第52-57页 |
| 4.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
