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基于多次曝光技术的大动态范围CMOS图像传感器研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-10页
第一章 绪论第10-24页
   ·图像传感器概述第10-14页
     ·图像传感器的发展第10-13页
     ·大动态范围图像传感器第13-14页
   ·大动态范围图像传感器的研究现状第14-20页
     ·多灵敏度第14-15页
     ·对数光响应第15页
     ·阱容量调整第15-17页
     ·饱和探测第17-19页
     ·多次曝光技术第19-20页
     ·其他方案第20页
   ·大动态范围CMOS图像传感器的研究意义第20-21页
   ·本论文的内容安排和主要创新点第21-23页
   ·本章小结第23-24页
第二章 CMOS图像传感器第24-41页
   ·CMOS图像传感器架构第24-26页
   ·光电探测器件第26-30页
     ·光在硅体的吸收第26-27页
     ·PN结光电二极管第27-29页
     ·光栅第29-30页
     ·雪崩击穿光电二极管第30页
   ·CMOS图像传感器中的像素第30-35页
     ·3T有源像素第31-32页
     ·4T有源像素第32-34页
     ·采用钳位光电二极管的 4T有源像素第34-35页
   ·4T有源像素评价指标第35-40页
     ·转移效率第36页
     ·量子效率第36-37页
     ·灵敏度第37-38页
     ·满阱容量第38-39页
     ·暗电流第39-40页
   ·本章小结第40-41页
第三章 大动态范围像素设计第41-80页
   ·CMOS图像传感器专用工艺第41-43页
     ·光电二极管形成SEN和SEN2第42页
     ·传输管沟道调整CPI1和VTNH第42页
     ·复位晶体管阈值调整RSVT第42-43页
     ·防穿通注入APT第43页
     ·表面钳位层CPI2第43页
   ·快速完全电荷转移设计第43-68页
     ·电荷非完全转移原因第43-46页
     ·PD与传输管沟道的工艺调整第46-63页
     ·非均匀掺杂栅极第63-68页
   ·复位晶体管设计第68-71页
   ·防穿通设计第71-73页
   ·版图设计第73-75页
     ·PD与传输管设计第73-74页
     ·FD设计第74页
     ·暗电流考虑第74-75页
     ·非感光区域隔离第75页
   ·像素测试结果第75-77页
   ·应用测试结果第77-79页
   ·本章小结第79-80页
第四章 用于多次曝光的紧凑读出技术第80-92页
   ·多次曝光技术第80-84页
     ·滚筒读出时序工作原理第80-81页
     ·多次曝光技术第81-84页
   ·紧凑读出方案第84-89页
     ·工作原理第85-88页
     ·适用条件第88-89页
   ·测试结果和讨论第89-91页
     ·测试结果第89-90页
     ·应用讨论第90-91页
   ·本章小结第91-92页
第五章 像素内长短曝光融合技术第92-118页
   ·传输栅对PD阱容量的调制作用第92-94页
   ·像素内长短曝光融合技术原理第94-96页
   ·量化分析第96-99页
   ·传输管栅压VTX_G与VPD_MID关系分析第99-102页
     ·亚阈值阶段第99-101页
     ·线性阶段第101页
     ·复位阶段第101-102页
   ·噪声特性分析第102-105页
     ·随机噪声第103-104页
     ·固定模式噪声第104页
     ·信噪比第104-105页
   ·仿真结果第105-106页
   ·样片设计第106-110页
   ·测试结果与讨论第110-117页
     ·光响应特性第110-112页
     ·噪声特性第112-113页
     ·VTX_G与VPD_MID关系第113-114页
     ·动态范围扩展结果第114-117页
     ·应用讨论第117页
   ·本章小结第117-118页
第六章 总结与展望第118-120页
   ·论文工作总结第118-119页
   ·后续工作展望第119-120页
参考文献第120-131页
发表论文和参加科研情况说明第131-133页
致谢第133-134页

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