| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-20页 |
| ·纳米材料简介 | 第8-9页 |
| ·纳米材料的特性 | 第9-11页 |
| ·表面效应 | 第9页 |
| ·量子尺寸效应 | 第9-10页 |
| ·小尺寸效应 | 第10页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第10页 |
| ·库仑阻塞和量子介穿 | 第10-11页 |
| ·介电限域效应 | 第11页 |
| ·纳米线的制备方法 | 第11-14页 |
| ·化学气相沉积(CVD) | 第12页 |
| ·水热合成法(Hydrothermal synthesis) | 第12页 |
| ·溶剂热合成法(Solvothermal synthesis) | 第12-13页 |
| ·电化学沉积法(Electrochemical deposition) | 第13页 |
| ·模板合成法(Template synthesis) | 第13页 |
| ·热蒸发法(Thermal Evaporation) | 第13-14页 |
| ·纳米线的生长原理 | 第14-16页 |
| ·气—液—固(Vapor-Liquid-Solid,VLS)生长机制 | 第14-15页 |
| ·气—固(Vapor-Solid,VS)生长机制 | 第15页 |
| ·溶—液—固(Solution-Liquid-Solid,SLS)生长机制 | 第15-16页 |
| ·碲的性质 | 第16-17页 |
| ·课题研究意义和内容 | 第17-20页 |
| 第2章 实验方法 | 第20-28页 |
| ·实验材料 | 第20页 |
| ·实验设备 | 第20-21页 |
| ·实验方法 | 第21-23页 |
| ·实验前准备 | 第21-22页 |
| ·实验过程 | 第22页 |
| ·实验参数选择 | 第22-23页 |
| ·纳米线测试 | 第23-26页 |
| ·场发射扫描电镜 | 第23页 |
| ·X射线衍射 | 第23-24页 |
| ·透射电子显微镜 | 第24-26页 |
| ·本章小结 | 第26-28页 |
| 第3章 碲纳米线的制备 | 第28-42页 |
| ·蒸发源材料的选择 | 第28-29页 |
| ·实验装置 | 第29-32页 |
| ·实验装置一 | 第29-31页 |
| ·实验装置二 | 第31-32页 |
| ·加热温度的优选 | 第32-35页 |
| ·催化剂的影响 | 第35-36页 |
| ·加热时间的影响 | 第36-37页 |
| ·Bi_2TeO_5薄膜的制备 | 第37-39页 |
| ·本章小节 | 第39-42页 |
| 第4章 Te纳米线和Bi_2TeO_5薄膜的检测与分析 | 第42-50页 |
| ·碲纳米线的检测与分析 | 第42-46页 |
| ·碲纳米线的形貌分析 | 第42-45页 |
| ·碲纳米线的相分析 | 第45页 |
| ·高分辨透射电镜分析 | 第45-46页 |
| ·二维Bi_2TeO_5薄膜的分析 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 结论 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的论文 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
