| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| ·研究背景 | 第9页 |
| ·GaN材料的研究现状 | 第9-11页 |
| ·GaN的基本性质 | 第11-12页 |
| ·GaN的结构特性 | 第11页 |
| ·GaN的电学特性 | 第11-12页 |
| ·GaN的光学特性 | 第12页 |
| ·稀土掺杂三族氮化物的研究概述 | 第12-17页 |
| ·稀土元素的基本性质 | 第12-13页 |
| ·稀土掺杂GaN的途径 | 第13页 |
| ·稀土掺杂GaN的光学性质 | 第13-16页 |
| ·稀土掺杂GaN的磁学性质 | 第16-17页 |
| ·本论文的研究内容和意义 | 第17-18页 |
| 第二章 密度泛函理论及计算软件简介 | 第18-27页 |
| ·多体问题 | 第18-19页 |
| ·绝热近似 | 第19页 |
| ·密度泛函理论 | 第19-23页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第19-20页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第20-21页 |
| ·交换关联泛函 | 第21-23页 |
| ·自洽计算 | 第23页 |
| ·投影扩充波（PAW）方法 | 第23-24页 |
| ·强关联体系 | 第24-26页 |
| ·VASP软件简介 | 第26-27页 |
| ·VASP的主要计算功能 | 第26页 |
| ·VASP的主要输入和输出文件 | 第26-27页 |
| 第三章 GaN及其空位的电子结构和光学性质研究 | 第27-37页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·模型和方法 | 第27-29页 |
| ·计算结果与分析 | 第29-36页 |
| ·晶体结构 | 第29-30页 |
| ·形成能计算 | 第30-31页 |
| ·电子结构 | 第31-33页 |
| ·光学性质 | 第33-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 第四章 稀土Ce、Pr掺杂GaN的电子结构和光学性质研究 | 第37-50页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·Ce、Pr孤立原子掺杂GaN的电子结构和光学性能计算 | 第37-44页 |
| ·模型和方法 | 第37-38页 |
| ·计算结果与分析 | 第38-44页 |
| ·Ce缺陷复合物对GaN的电子结构和光学性能的影响 | 第44-49页 |
| ·计算模型 | 第44-45页 |
| ·电子结构 | 第45-47页 |
| ·光学性质 | 第47-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 第五章 稀土元素Gd掺杂GaN的磁学性质 | 第50-56页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·计算模型 | 第50-51页 |
| ·计算结果与分析 | 第51-55页 |
| ·电子结构 | 第51-53页 |
| ·间隙N和间隙O | 第53-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第六章 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
