| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-24页 |
| ·OLED的简介 | 第8-12页 |
| ·OLED及其产品的发展概述 | 第8-9页 |
| ·OLED应用市场前景 | 第9-12页 |
| ·OLED的结构及发光机理 | 第12-17页 |
| ·OLED的结构 | 第12-14页 |
| ·OLED的发光机理 | 第14-17页 |
| ·OLED材料选择 | 第17-22页 |
| ·电极材料 | 第17-18页 |
| ·发光材料 | 第18-20页 |
| ·空穴传输材料 | 第20-21页 |
| ·电子传输以及主体发光材料 | 第21-22页 |
| ·本文创新和研究内容 | 第22-24页 |
| 第二章 器件的制备工艺 | 第24-30页 |
| ·仪器和材料试剂 | 第24-25页 |
| ·仪器 | 第24-25页 |
| ·试剂和材料 | 第25页 |
| ·器件制备工艺 | 第25-27页 |
| ·阳极的制备 | 第26-27页 |
| ·真空蒸镀 | 第27页 |
| ·器件的性能评价 | 第27-30页 |
| ·光学性能 | 第27-29页 |
| ·电学性能 | 第29-30页 |
| 第三章 结晶n型NTCDA薄膜提高反转有机发光二极管性能的研究 | 第30-38页 |
| ·引言 | 第30-31页 |
| ·蒸镀到ITO上的NTCDA的特性研究 | 第31-32页 |
| ·n-NTCDA在IBOLED中作为电子注入层的研究 | 第32-37页 |
| ·器件结构 | 第32-33页 |
| ·电子注入结构ITO/BCP:Li_2CO_3(4:1)10nm和ITO/NTCDA3nm/BCP:Li_2CO_3(4:1)7nm性能比较 | 第33-34页 |
| ·电子从n-NTCDA到BCP:Li_2CO_3(4:1)的传输机理 | 第34-36页 |
| ·IBOLED中NTCDA的厚度对电流传导率的影响 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 方波驱动法测定Alq3的电子迁移率 | 第38-46页 |
| ·引言 | 第38-39页 |
| ·方波驱动法测定迁移率的原理 | 第39-41页 |
| ·器件结构 | 第39-40页 |
| ·方波驱动研究Alq3电致发光的实验设备 | 第40页 |
| ·Alq3的电子迁移率的原理及计算方法 | 第40-41页 |
| ·迁移率的测定 | 第41-45页 |
| ·器件的光电性能 | 第41-42页 |
| ·方波驱动测定及迁移率计算 | 第42-45页 |
| ·方波驱动法相对于传统方法的优势 | 第45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 双p型掺杂层提高有机发光二极管中的空穴电流的研究 | 第46-58页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·p型及双p型掺杂器件光电性能的研究 | 第47-54页 |
| ·器件结构 | 第47-48页 |
| ·MoO_3掺杂CBP的掺杂效果 | 第48-49页 |
| ·应用单掺杂层CBP:MoO_3结构器件的性能 | 第49-51页 |
| ·NPB:MoO_3和CBP:MoO_3联合使用的双p型器件性能 | 第51-53页 |
| ·NPB:MoO_3和CBP:MoO_3联合使用的双掺杂层与单掺杂层CBP:MoO_3的I-V特性比较 | 第53-54页 |
| ·双p型掺杂层界面处的φB以及其对空穴电流的影响 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第六章 结论与展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-68页 |
| 攻读硕士学位期间所取得的相关科研成果 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
