| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第1章 绪论 | 第7-13页 |
| ·课题目的与意义 | 第7-8页 |
| ·InAs/AlSb HEMT 器件发展现状 | 第8-10页 |
| ·InAs/AlSb 材料存在的问题 | 第10-11页 |
| ·本文主要内容与结构安排 | 第11-13页 |
| 第2章 InAs/AlSb HEMT工作原理及仿真 | 第13-29页 |
| ·HEMT 器件理论 | 第13-18页 |
| ·异质结的能带及二维电子气的形成 | 第13-14页 |
| ·二维电子气量子化 | 第14-15页 |
| ·势阱中的二维电子气面密度[31] | 第15-16页 |
| ·二维电子气的输运 | 第16-18页 |
| ·HEMT 器件工作原理[36] | 第18-19页 |
| ·HEMT 器件仿真 | 第19-26页 |
| ·仿真物理模型 | 第20-22页 |
| ·器件仿真 | 第22-26页 |
| ·本章小结 | 第26-29页 |
| 第3章 InAs/AlSb材料生长及表征 | 第29-47页 |
| ·分子束外延生长技术 | 第29-31页 |
| ·InAs/AlSb 外延材料生长 | 第31-33页 |
| ·InAs/AlSb 材料表征 | 第33-41页 |
| ·AFM 测试材料表面形貌 | 第33-35页 |
| ·高频 C-V 测试 | 第35-38页 |
| ·Hall 测试 | 第38-39页 |
| ·XPS 测试材料组分 | 第39-41页 |
| ·InAs/AlSb 材料结构改进 | 第41-44页 |
| ·本章小结 | 第44-47页 |
| 第4章 InAs/AlSb HEMT器件制备工艺 | 第47-55页 |
| ·欧姆接触 | 第47-49页 |
| ·台面以及栅槽刻蚀 | 第49-52页 |
| ·器件制备工艺改进 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第5章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |