| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| ·半导体器件及材料的发展历史 | 第11-14页 |
| ·半导体器件数值模拟技术的发展 | 第11-13页 |
| ·半导体器件数值模拟的定义 | 第13-14页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第14-15页 |
| ·本章小结 | 第15-16页 |
| 第二章 半导体器件数值模拟过程 | 第16-32页 |
| ·半导体器件模拟分类 | 第16-18页 |
| ·器件模拟的基本方程 | 第18-26页 |
| ·Poisson 方程 | 第19-21页 |
| ·电流连续性方程 | 第21-22页 |
| ·载流子的输运方程 | 第22-23页 |
| ·热传导方程 | 第23-25页 |
| ·半导体器件的基本方程 | 第25-26页 |
| ·载流子迁移率 | 第26-28页 |
| ·晶格振动散射 | 第26-27页 |
| ·电离杂质散射 | 第27页 |
| ·载流子-载流子散射 | 第27页 |
| ·中性杂质散射 | 第27页 |
| ·位错散射 | 第27-28页 |
| ·等同的能谷间散射 | 第28页 |
| ·载流子的产生和复合 | 第28-32页 |
| ·SRH 复合 | 第28-29页 |
| ·直接复合 | 第29页 |
| ·俄歇复合 | 第29-30页 |
| ·表面复合 | 第30-31页 |
| ·碰撞电离 | 第31-32页 |
| 第三章 半导体器件物理参数模型 | 第32-54页 |
| ·半导体的能带参数 | 第33-34页 |
| ·载流子迁移率模型 | 第34-44页 |
| ·掺杂浓度相关低场迁移率模型 | 第35-36页 |
| ·常数低电场迁移率模型 | 第36页 |
| ·解析的低电场迁移率模型 | 第36-37页 |
| ·平行电场相关迁移率模型 | 第37-38页 |
| ·Klaassen 标准低电场迁移率模型 | 第38-43页 |
| ·反型层迁移率模型 | 第43-44页 |
| ·载流子产生模型 | 第44-48页 |
| ·Selberherr 碰撞电离模型 | 第45-46页 |
| ·Van Overstraeten-de 碰撞电离模型 | 第46-47页 |
| ·Grant 碰撞电离模型 | 第47页 |
| ·Toyabe 碰撞电离模型 | 第47-48页 |
| ·载流子复合模型 | 第48-51页 |
| ·SHR 复合模型 | 第49页 |
| ·SRH 少子寿命与掺杂浓度相关复合模型 | 第49-50页 |
| ·标准俄歇复合模型 | 第50页 |
| ·Klassen 温度相关俄歇复合模型 | 第50-51页 |
| ·直接复合 | 第51页 |
| ·宽禁带半导体材料物理模型的添加 | 第51-53页 |
| ·能带参数的添加 | 第51页 |
| ·迁移率模型的添加 | 第51-52页 |
| ·复合模型的添加 | 第52页 |
| ·生成率模型的添加 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 模拟结果及分析 | 第54-79页 |
| ·Silvaco 软件对双极晶体管的仿真 | 第54-62页 |
| ·器件结构 | 第54-55页 |
| ·物理参数模型设定 | 第55-56页 |
| ·平衡态仿真结果 | 第56-60页 |
| ·Gummel 曲线 | 第60-61页 |
| ·输出特性曲线 | 第61-62页 |
| ·Genius 软件对双极晶体管的仿真 | 第62-67页 |
| ·器件结构建模 | 第62-63页 |
| ·Gummel 曲线及与 Silvaco 软件的比较 | 第63-65页 |
| ·输出特性曲线及与 Silvaco 软件比较 | 第65-67页 |
| ·GaN_Si npn HBT 特性研究 | 第67-79页 |
| ·器件结构及物理模型 | 第67-68页 |
| ·物理参数模型设定 | 第68-71页 |
| ·平衡态仿真结果 | 第71-75页 |
| ·仿真结果 | 第75-78页 |
| ·结论 | 第78-79页 |
| 第五章 结束语 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第83-84页 |