高功函数薄膜制备及抑制收集极二次电子发射机理研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·行波管概述 | 第10-11页 |
| ·多级降压收集极 | 第11-12页 |
| ·研究内容及国内外研究现状 | 第12-15页 |
| ·论文结构 | 第15-16页 |
| 第二章 二次电子发射机理研究 | 第16-27页 |
| ·二次电子发射理论 | 第16-17页 |
| ·二次电子发射机理 | 第17-25页 |
| ·一次电子的穿透与内部二次电子的产生 | 第17-20页 |
| ·内部二次电子的传输 | 第20-21页 |
| ·二次电子越过真空势垒的逃逸 | 第21-25页 |
| ·小结 | 第25-27页 |
| 第三章 等离子体源离子注入的数值模拟 | 第27-34页 |
| ·SRIM软件介绍 | 第27-28页 |
| ·模拟结果及分析 | 第28-33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| 第四章 薄膜的制备及表征 | 第34-46页 |
| ·薄膜的制备 | 第34-39页 |
| ·TiN薄膜的制备 | 第34-37页 |
| ·Ni、Pt等薄膜的制备 | 第37-39页 |
| ·薄膜的表征 | 第39-45页 |
| ·扫描电子显微镜——膜厚、表面形貌 | 第39-41页 |
| ·原子力显微镜——表面粗糙度 | 第41-42页 |
| ·二次电子发射系数 | 第42-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 第五章 实验结果及分析 | 第46-60页 |
| ·制备薄膜样品图 | 第46-49页 |
| ·SEM及AFM测试结果及分析 | 第49-53页 |
| ·TiN膜测试结果及分析 | 第49-50页 |
| ·电镀涂层的测试结果及分析 | 第50-52页 |
| ·Hf膜的测试结果 | 第52-53页 |
| ·二次电子发射系数测试结果及分析 | 第53-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 第六章 结论 | 第60-62页 |
| ·论文总结 | 第60页 |
| ·存在问题及展望 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第66页 |
