硼扩散片制备技术研究
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·常用的几种掺杂技术 | 第7-10页 |
| ·国内外硅材料中扩散技术的研究现状 | 第10-15页 |
| ·硅材料中常用的扩散杂质元素 | 第10-11页 |
| ·硅材料中杂质元素的扩散技术 | 第11-12页 |
| ·硅材料中硼扩散技术进展 | 第12-15页 |
| ·硼扩散片的产品特点 | 第15-16页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 硼杂质扩散的分布规律研究 | 第17-39页 |
| ·杂质的扩散机构 | 第17-20页 |
| ·两种扩散机构 | 第17-18页 |
| ·晶格失配与失配因子 | 第18-19页 |
| ·杂质在硅中的固溶度 | 第19-20页 |
| ·扩散方程 | 第20-24页 |
| ·菲克第一定律 | 第20-21页 |
| ·菲克第二定律 | 第21页 |
| ·扩散系数 | 第21-24页 |
| ·两种扩散的杂质分布 | 第24-29页 |
| ·恒定表面源扩散 | 第24-26页 |
| ·限定表面源扩散 | 第26-28页 |
| ·两步扩散 | 第28-29页 |
| ·影响杂质分布的几个因素 | 第29-39页 |
| ·杂质的离化与扩散的场助效应 | 第30-34页 |
| ·衬底掺杂情况对扩散的影响 | 第34-35页 |
| ·硼的高浓度扩散 | 第35-36页 |
| ·氧化增强扩散 | 第36-39页 |
| 第三章 硼扩散浓度和深度的控制技术研究 | 第39-55页 |
| ·硼扩散硅片的设计 | 第39-42页 |
| ·硼扩散硅片的工艺路线 | 第39页 |
| ·硼扩散硅片结构设计 | 第39-40页 |
| ·材料设计 | 第40-41页 |
| ·主要工艺设备 | 第41-42页 |
| ·主要测试用设备 | 第42页 |
| ·硼扩散源的选择 | 第42-44页 |
| ·扩散方法 | 第44-46页 |
| ·硼微晶玻璃源的扩散机理 | 第46-47页 |
| ·硅片扩散浓度的控制技术 | 第47-48页 |
| ·扩散片深度控制技术 | 第48-52页 |
| ·单面扩散与双面扩散对扩散深度的影响 | 第49-50页 |
| ·再分布温度对扩散深度的影响 | 第50-51页 |
| ·再分布时间对扩散深度的影响 | 第51页 |
| ·气体流量对扩散深度的影响 | 第51-52页 |
| ·扩散深度的均匀性 | 第52页 |
| ·扩散的工艺条件 | 第52页 |
| ·扩散浓度和深度的测量 | 第52-55页 |
| ·硼扩散层表面浓度测试方法 | 第52-53页 |
| ·扩散硅片硼扩散结深测试方法 | 第53-55页 |
| 第四章 硼扩散片几何参数的控制技术研究 | 第55-59页 |
| ·硼扩散片弯曲度控制技术 | 第55-58页 |
| ·扩散方式的选择实验 | 第55-56页 |
| ·单晶锭热处理技术 | 第56-57页 |
| ·单面减薄后硅片的碱处理工艺 | 第57-58页 |
| ·扩散片的TTV 控制技术 | 第58-59页 |
| 第五章 结论 | 第59-61页 |
| ·硼杂质扩散的分布规律研究 | 第59-60页 |
| ·硼扩散浓度和深度的控制技术研究 | 第60页 |
| ·硼扩散片几何参数的控制技术研究 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 发表论文情况 | 第64-65页 |
| 附录 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
