| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| ·MMIC 技术简介 | 第9-11页 |
| ·单片开关研究的起源、现状及展望 | 第11-20页 |
| ·本论文主要研究内容及其意义 | 第20-22页 |
| 第二章 MMIC 开关元器件及工艺流程 | 第22-34页 |
| ·开关芯片制造工艺的选择 | 第22-25页 |
| ·制造材料的选择 | 第22-23页 |
| ·有源器件的选择 | 第23-25页 |
| ·D01PH 器件模型 | 第25-32页 |
| ·D01PH 有源器件模型 | 第27-28页 |
| ·D01PH 无源器件模型 | 第28-32页 |
| ·MMIC CAD 设计 | 第32-34页 |
| 第三章 MMIC 开关理论及技术 | 第34-51页 |
| ·MMIC 开关原理 | 第34-38页 |
| ·GaAs HEMT 开关元件机理 | 第34-36页 |
| ·开关HEMT 等效电路 | 第36-38页 |
| ·MMIC 开关主要技术参数 | 第38-51页 |
| ·功率 | 第39-43页 |
| ·带宽 | 第43-46页 |
| ·插入损耗 | 第46-47页 |
| ·隔离度 | 第47-49页 |
| ·开关速度 | 第49-51页 |
| 第四章 Ka 波段高功率 SPDT 开关芯片设计 | 第51-76页 |
| ·Ka 波段高功率 SPDT 开关设计指标及设计要点 | 第51-52页 |
| ·开关 pHEMT 器件选择 | 第52-56页 |
| ·电路拓扑结构的选择 | 第56-60页 |
| ·提升SPDT 开关性能的技术使用 | 第60-67页 |
| ·四分之一波长线 | 第60-62页 |
| ·短截线补偿场效应管电容性 | 第62页 |
| ·对称并联场效应管拓扑结构 | 第62-63页 |
| ·层叠结构 | 第63-67页 |
| ·版图的布置与 Mom 仿真 | 第67-71页 |
| ·仿真结果与分析 | 第71-76页 |
| 第五章 总结 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第82-83页 |