| 第一章 绪论 | 第1-21页 |
| ·SiC 的结构与特性 | 第9-15页 |
| ·SiC 晶须的性能及应用价值 | 第15-17页 |
| ·SiC 晶须的研究及发展现状 | 第17-20页 |
| ·论文的选题依据和研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 实验方法 | 第21-29页 |
| ·SiC 晶须的制备方法 | 第21-26页 |
| ·SiC 晶须的表征方法 | 第26-29页 |
| 第三章 两步法制备 SiC 晶须研究 | 第29-38页 |
| ·C 纳米管的制备 | 第29-32页 |
| ·C 纳米管反应法合成 SiC 晶须 | 第32-34页 |
| ·C 纳米管限域法合成 SiC 晶须 | 第34-38页 |
| 第四章 一步法制备 SiC 晶须研究 | 第38-55页 |
| ·工艺参数对SiC 晶须生长的影响 | 第39-46页 |
| ·SiC 晶须的化学组成 | 第46-47页 |
| ·SiC 晶须的 TEM 分析 | 第47-49页 |
| ·SiC 晶须的择优生长 | 第49页 |
| ·SiC 晶须的 VLS 生长机理 | 第49-55页 |
| 第五章 结论 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第61页 |