| 第一章 前言 | 第1-23页 |
| ·微电子发展对高 K 栅介质材料的需求 | 第7-8页 |
| ·高 K 栅介质研究发展状况 | 第8-16页 |
| ·高 K 栅介质材料的选择 | 第8-13页 |
| ·金属栅 | 第13-14页 |
| ·高K 栅介质的可靠性研究状况 | 第14-16页 |
| ·论文的主要工作及其内容安排 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-23页 |
| 第二章 高K 栅介质可靠性研究的理论基础 | 第23-39页 |
| ·栅介质可靠性的表征 | 第23-26页 |
| ·可靠性的定量表征参数 | 第23-24页 |
| ·常见的失效分布－威布尔分布（Weibull） | 第24-26页 |
| ·高K 介质可靠性测试结构和测试方法 | 第26-32页 |
| ·栅氧化层电容测试结构 | 第26-28页 |
| ·恒压应力和恒流应力测试 | 第28-31页 |
| ·动态应力测试 | 第31-32页 |
| ·高 K 栅介质层击穿的物理机制 | 第32-35页 |
| ·E 模型和1 | 第32-33页 |
| ·高 K 栅介质的寿命预测 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-39页 |
| 第三章 超薄 Hf02 栅介质的可靠性特性研究 | 第39-63页 |
| ·MOCVD 高 K 薄膜制备方法简介 | 第39-40页 |
| ·超薄 Hf02 栅介质的工艺制备和电学特性 | 第40-42页 |
| ·超薄 Hf02 栅介质中的 SILC 效应 | 第42-43页 |
| ·超薄 Hf02 栅介质的时变击穿(TDDB)特性 | 第43-46页 |
| ·超薄 Hf02 栅介质 TDDB 的面积依赖性 | 第43-44页 |
| ·超薄 Hf02 栅介质 TDDB 的电场依赖性 | 第44-45页 |
| ·栅注入条件下电场依赖的击穿模型 | 第45-46页 |
| ·超薄 Hf02 栅介质的电流输运与击穿机制 | 第46-59页 |
| ·超薄 Hf02 栅介质的能带结构图 | 第46-47页 |
| ·栅电流输运机制对电场的依赖 | 第47-52页 |
| ·载流子分离方法 | 第52-56页 |
| ·应力作用下的载流子电荷俘获特征 | 第56-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 第四章 总结 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表及即将发表的文章 | 第66页 |