| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 前言 | 第9-12页 |
| ·研究意义 | 第9页 |
| ·国内外研究现状及分析 | 第9-11页 |
| ·研究目标和内容结构 | 第11-12页 |
| 第二章 计算原理与方法 | 第12-17页 |
| ·薄膜生长机理的研究方法 | 第12-13页 |
| ·第一性原理分子动力学方法 | 第12-13页 |
| ·第一性原理分子动力学计算流程 | 第13页 |
| ·计算方法和参数设置 | 第13-15页 |
| ·数据分析方法与讨论 | 第15-17页 |
| ·动力学分析 | 第15页 |
| ·能量分析 | 第15页 |
| ·结构优化 | 第15-16页 |
| ·电子态密度分析 | 第16页 |
| ·布局分析 | 第16页 |
| ·吸附能计算与分析 | 第16-17页 |
| 第三章 TiO_2/GaN（0001）表面吸附与成键 | 第17-30页 |
| ·概述 | 第17页 |
| ·物理模型与计算方法 | 第17-19页 |
| ·物理模型 | 第17-18页 |
| ·计算模拟方法及参数设置 | 第18-19页 |
| ·计算结果分析 | 第19-29页 |
| ·模型 A、B、C 吸附生长轨迹与能量 | 第19-24页 |
| ·模型 A、B、C 的结构对比 | 第24-26页 |
| ·模型 A、B、C 吸附过程中的体系能量变化 | 第26-27页 |
| ·表面吸附能的对比 | 第27-28页 |
| ·吸附后表面的电子结构和成键情况 | 第28-29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| 第四章 N 终止GaN(000-1)表面吸附 TiO_2 动力学模拟 | 第30-39页 |
| ·概述 | 第30页 |
| ·物理模型和计算方法 | 第30-32页 |
| ·建立的物理模型 | 第30-31页 |
| ·计算方法 | 第31-32页 |
| ·计算结果与分析 | 第32-35页 |
| ·模型A 的吸附过程与能量分析 | 第32-33页 |
| ·模型B 的吸附过程与能量分析 | 第33-35页 |
| ·对比分析两种模型 | 第35-37页 |
| ·吸附后的结构 | 第35-36页 |
| ·吸附能对比 | 第36页 |
| ·体系能量对比 | 第36页 |
| ·吸附后体系电子结构对比 | 第36-37页 |
| ·对比分析以N、Ga 为终止层的表面吸附TiO_2分子 | 第37-38页 |
| ·吸附能 | 第37-38页 |
| ·体系的能量变化 | 第38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 第五章 SrO/GaN（0001）表面吸附与成键 | 第39-46页 |
| ·概述 | 第39页 |
| ·计算的物理模型 | 第39-40页 |
| ·计算方法 | 第40-41页 |
| ·模型A 计算结果与分析 | 第41-43页 |
| ·吸附动力学轨迹分析 | 第41-42页 |
| ·模型 A 体系能量变化 | 第42-43页 |
| ·模型 A 表面电子密度与成键 | 第43页 |
| ·模型B 计算结果与分析 | 第43-45页 |
| ·对比分析SrO 分子和TiO_2分子在以Ga 为终止层的GaN(0001)表面吸附 | 第45页 |
| ·结论 | 第45-46页 |
| 第六章 主要结论和未来工作 | 第46-47页 |
| ·主要结论 | 第46页 |
| ·未来工作 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-52页 |
| 附录 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53页 |
