| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-27页 |
| 1．1．引言 | 第9-12页 |
| 1．2．ZnO性能概述 | 第12-18页 |
| 1．2．1．ZnO的材料特性和结构特性 | 第12-14页 |
| 1．2．2．ZnO的能带结构和光学性质 | 第14-16页 |
| 1．2．3．ZnO的电学特性 | 第16-18页 |
| 1．3．ZnO材料的应用领域 | 第18-23页 |
| 1．3．1．压敏元件 | 第18-19页 |
| 1．3．2．AFM探针 | 第19-20页 |
| 1．3．3．太阳能电池 | 第20页 |
| 1．3．4．压电器件 | 第20页 |
| 1．3．5．气敏元件 | 第20-21页 |
| 1．3．6．缓冲层 | 第21页 |
| 1．3．7．紫外探测器 | 第21-22页 |
| 1．3．8．发光器件 | 第22页 |
| 1．3．9．综合应用 | 第22-23页 |
| 1．4．本文主要内容 | 第23页 |
| 参考文献 | 第23-27页 |
| 第二章 ZnO薄膜的生长方法和工艺 | 第27-38页 |
| 2．1．引言 | 第27页 |
| 2．2．ZnO薄膜常用的生长方法 | 第27-30页 |
| 2．2．1．溶胶凝胶法 | 第27页 |
| 2．2．2．磁控溅射 | 第27-28页 |
| 2．2．3．分子束外延 | 第28页 |
| 2．2．4．脉冲激光沉积法 | 第28-29页 |
| 2．2．5．原子层外延生长法 | 第29-30页 |
| 2．3．ZnO薄膜的MOCVD生长 | 第30-35页 |
| 2．3．1．引言 | 第30-31页 |
| 2．3．3．生长ZnO薄膜的常压MOCVD系统 | 第31-33页 |
| 2．3．3．1．气体处理系统 | 第32-33页 |
| 2．3．3．2．反应室 | 第33页 |
| 2．3．3．ZnO薄膜常压MOCVD生长工艺 | 第33-35页 |
| 2．3．3．1．生长源材料的选择及可能的反应 | 第33-35页 |
| 4．1．1．4．ZnO薄膜生长工艺 | 第35页 |
| 2．4．小结 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-38页 |
| 第三章 ZnO／Al_2O_3的取向、弯曲和应力的DCXRD分析 | 第38-50页 |
| 3．1．X射线双晶衍射技术 | 第38-40页 |
| 3．2．样品制备及实验 | 第40页 |
| 3．3．ZnO薄膜与衬底的取向偏差 | 第40-45页 |
| 3．3．1．外延材料的X射线取向测试理论 | 第40-42页 |
| 3．3．2．测量结果与分析 | 第42-45页 |
| 3．4．外延片的弯曲半径和应力 | 第45-47页 |
| 3．4．1．XRD弯曲与应力测试理论 | 第45-46页 |
| 3．4．2．测量结果与分析 | 第46-47页 |
| 3．5．小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第四章 ZnO／AlN／Si(111)薄膜的生长与分析 | 第50-73页 |
| 4．1．引言 | 第50-58页 |
| 4．1．1．Si衬底ZnO薄膜的研究进展 | 第52-57页 |
| 4．1．1．1．金属缓冲层 | 第53-54页 |
| 4．1．1．2．氧化物缓冲层 | 第54-55页 |
| 4．1．1．3．氮化物缓冲层 | 第55-56页 |
| 4．1．1．4．其他缓冲层 | 第56-57页 |
| 4．1．2．本章主要内容 | 第57-58页 |
| 4．2．ZnO／AlN／Si(111)薄膜的生长系统与工艺 | 第58-62页 |
| 4．2．1．衬底的清洗 | 第58-59页 |
| 4．2．2．AlN缓冲层的生长 | 第59页 |
| 4．2．3．ZnO薄膜的外延 | 第59-62页 |
| 4．3．ZnO／AlN／Si(111)薄膜性能分析 | 第62-70页 |
| 4．3．1．激光在线监测结果分析 | 第62-64页 |
| 4．3．2．结构性能分析 | 第64-69页 |
| 4．3．3．发光性能分析 | 第69-70页 |
| 4．4．小结 | 第70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 第五章 总论 | 第73-74页 |
| 攻读硕士学位期间已发表及待发表的论文 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
