| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-34页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·一维ZnO纳米材料 | 第11-19页 |
| ·为什么要研究纳米材料? | 第11-13页 |
| ·一维ZnO纳米材料的独到之处 | 第13-14页 |
| ·一维ZnO纳米材料二次生长研究 | 第14-19页 |
| ·为什么要研究二次生长? | 第14页 |
| ·ZnO基材料二次外延生长到目前为止的研究进展 | 第14-19页 |
| ·Cu掺杂ZnO相关的研究 | 第19-27页 |
| ·ZnO掺杂相关的研究 | 第19页 |
| ·为什么选择Cu掺杂? | 第19-27页 |
| ·Cu掺杂ZnO中的计算结果 | 第20-21页 |
| ·零维ZnO中Cu掺杂 | 第21-22页 |
| ·一维ZnO中Cu掺杂 | 第22-24页 |
| ·二维ZnO薄膜中Cu掺杂 | 第24-26页 |
| ·ZnO单晶中Cu掺杂 | 第26-27页 |
| ·ZnO中Cu掺杂目前需要解决的问题 | 第27页 |
| ·ZnO纳米稀磁半导体简介 | 第27-31页 |
| ·稀磁半导体(DMS) | 第27-28页 |
| ·Cu掺杂ZnO基DMSs | 第28-29页 |
| ·ZnO基DMS中磁性起源 | 第29-30页 |
| ·DMSs应用前景与需要克服的障碍 | 第30-31页 |
| ·课题意义与研究内容 | 第31-34页 |
| 第二章 样品制备与表征手段 | 第34-42页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·ZnO纳米线的制备与生长参数优化 | 第34-37页 |
| ·实验原理及设备 | 第34-35页 |
| ·样品制备过程 | 第35-37页 |
| ·Cu掺杂ZnO纳米线阵列的制备 | 第37-38页 |
| ·实验设备及原理 | 第37页 |
| ·Cu掺杂ZnO样品制备过程 | 第37-38页 |
| ·样品表征手段 | 第38-42页 |
| 第三章 ZnO纳米线的制备、性能研究 | 第42-56页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·无序ZnO纳米线的制备 | 第42-44页 |
| ·纯Si片上ZnO的生长与表征 | 第42-44页 |
| ·有序ZnO纳米线阵列的制备 | 第44-51页 |
| ·镀Au(100)Si衬底上ZnO纳米线的生长 | 第44-46页 |
| ·醋酸锌制备ZnO籽晶的影响 | 第46-47页 |
| ·磁控溅射ZnO缓冲层的影响 | 第47-49页 |
| ·脉冲激光沉积ZnO缓冲层的影响 | 第49-51页 |
| ·ZnO纳米线阵列生长机理与性能研究 | 第51-54页 |
| ·ZnO纳米线阵列生长机理探讨 | 第51-52页 |
| ·ZnO纳米线阵列光学性能研究 | 第52-53页 |
| ·ZnO纳米线阵列磁学性能研究 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 Cu掺杂ZnO纳米柱阵列的制备与性能表征 | 第56-64页 |
| ·引言 | 第56页 |
| ·Cu掺杂ZnO纳米柱阵列的制备与性能测试 | 第56-63页 |
| ·Cu掺杂ZnO纳米柱形貌与物相表征 | 第56-57页 |
| ·晶体质量分析与光学性能测试 | 第57-62页 |
| ·Cu掺杂ZnO纳米柱阵列磁学性能表征 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 ZnO、ZnO:Cu纳米柱阵列二次生长过程研究与器件制备探索 | 第64-84页 |
| ·引言 | 第64页 |
| ·ZnO阵列的二次生长 | 第64-65页 |
| ·ZnO:Cu纳米柱阵列的二次生长机理与性能研究 | 第65-78页 |
| ·结构、形貌与物相分析 | 第65-68页 |
| ·二次生长机理 | 第68-72页 |
| ·光学性能分析 | 第72-74页 |
| ·磁学性能分析 | 第74-75页 |
| ·ZnO:Cu中磁性起源的分析 | 第75-78页 |
| ·Cu掺杂纳米线器件制备工作初探 | 第78-82页 |
| ·ZnO场效应晶体管(FETs)制备方法简介 | 第78-79页 |
| ·Ti-Au电极 | 第79-81页 |
| ·Al-Au电极 | 第81-82页 |
| ·本章小结 | 第82-84页 |
| 第六章 结论与展望 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-94页 |
| 致谢 | 第94-96页 |
| 个人简历 | 第96-98页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第98页 |