ZnO和ZnMgO纳米材料的水热法制备及性能研究
摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
目录 | 第9-12页 |
第一章 引言 | 第12-14页 |
第二章 文献综述 | 第14-32页 |
·ZnO的晶体结构与性质 | 第14-20页 |
·ZnO的基本理化特性 | 第14-15页 |
·ZnO的晶体结构 | 第15-16页 |
·ZnO的能带结构与能带工程 | 第16-19页 |
·ZnO的光电性质 | 第19-20页 |
·ZnO的其他性质 | 第20页 |
·ZnO纳米材料的制备工艺 | 第20-23页 |
·ZnO纳米材料的气相合成 | 第21-22页 |
·ZnO纳米材料的液相合成 | 第22-23页 |
·ZnO纳米结构的水溶液合成 | 第22页 |
·ZnO纳米结构的有机相合成 | 第22-23页 |
·ZnO的本征点缺陷和非故意掺杂 | 第23页 |
·ZnO纳米材料的研究现状 | 第23-30页 |
·ZnO纳米材料的合成现状 | 第23-24页 |
·ZnO纳米材料的掺杂研究 | 第24-30页 |
·Mg、Cd等元素掺杂 | 第25-26页 |
·Mn、Co、Ni等过渡元素掺杂 | 第26-28页 |
·Al、Ga等元素掺杂 | 第28-30页 |
·本文的选题依据和研究内容 | 第30-32页 |
第三章 样品制备、合成过程与表征手段 | 第32-38页 |
·水热法合成实验设备 | 第32页 |
·ZnO纳米材料水热法合成过程 | 第32-36页 |
·衬底材料清洗 | 第32-33页 |
·缓冲层制备 | 第33-35页 |
·醋酸锌热解法 | 第33页 |
·脉冲激光沉积法 | 第33-34页 |
·磁控溅射法 | 第34-35页 |
·溶液配制及反应 | 第35页 |
·样品清洗及干燥 | 第35-36页 |
·材料测试表征手段 | 第36-38页 |
·X射线衍射(XRD) | 第36页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第36页 |
·x射线能谱(EDS)测试 | 第36页 |
·透射电子显微镜(TEM) | 第36页 |
·光致发光谱(PL) | 第36页 |
·I-V测试 | 第36-38页 |
第四章 ZnO纳米梭材料的水热法合成 | 第38-44页 |
·实验过程 | 第38-39页 |
·化学试剂药品 | 第38页 |
·合成制备过程 | 第38页 |
·材料表征手段 | 第38-39页 |
·材料表征 | 第39-42页 |
·场发射扫描电镜(FESEM)分析 | 第39页 |
·X射线衍射(XRD)分析 | 第39-40页 |
·透射电镜(TEM)分析 | 第40-41页 |
·光致发光(PL)谱分析 | 第41-42页 |
·反应机理和生长机制探讨 | 第42-43页 |
·反应机理 | 第42页 |
·生长机制 | 第42-43页 |
·小结 | 第43-44页 |
第五章 ZnO纳米棒阵列的水热合成及工艺优化 | 第44-58页 |
·实验过程 | 第44-45页 |
·合成制备 | 第44页 |
·测试表征 | 第44-45页 |
·工艺优化 | 第45-53页 |
·衬底放置方式对阵列生长的影响 | 第45-47页 |
·反应溶液浓度对阵列生长的影响 | 第47-49页 |
·反应温度对阵列生长的影响 | 第49-50页 |
·反应时间对阵列生长的影响 | 第50-52页 |
·籽晶层制备工艺对阵列生长的影响 | 第52-53页 |
·结构表征 | 第53-54页 |
·光学性质 | 第54-55页 |
·小结 | 第55-58页 |
第六章 ZnO纳米材料的Mg掺杂研究 | 第58-70页 |
·实验过程 | 第58-59页 |
·材料合成 | 第58-59页 |
·器件制备 | 第59页 |
·表征手段 | 第59页 |
·材料结构成分表征和光学特性 | 第59-65页 |
·SEM和EDX测试分析 | 第59-61页 |
·XRD测试分析 | 第61-62页 |
·TEM测试分析 | 第62-63页 |
·光致发光(PL)测试分析 | 第63-65页 |
·器件形貌和电学特性 | 第65-68页 |
·SEM测试分析 | 第65-66页 |
·I-V测试分析 | 第66-68页 |
·小结 | 第68-70页 |
第七章 结论与展望 | 第70-72页 |
参考文献 | 第72-81页 |
致谢 | 第81-82页 |
个人简历 | 第82-83页 |
攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第83页 |