| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-36页 |
| ·GaN 材料的基本特性 | 第10-17页 |
| ·III 族氮化物半导体材料的晶体结构 | 第10-13页 |
| ·III-N 纤锌矿半导体材料的自发极化和压电极化 | 第13-15页 |
| ·III 族氮化物半导体材料在电子学应用方面的特点 | 第15-17页 |
| ·GaN 基材料研究的历史回顾和应用优势 | 第17-21页 |
| ·GaN 基材料研究的历史回顾 | 第17-19页 |
| ·GaN 基材料的应用优势 | 第19-21页 |
| ·GaN 基材料中主要的缺陷 | 第21-26页 |
| ·GaN 外延层中缺陷的来源 | 第21-23页 |
| ·GaN 中缺陷的类型 | 第23-26页 |
| ·GaN 材料中缺陷的主要表征方法 | 第26页 |
| ·GaN 基材料中缺陷对材料性质的影响和研究现状 | 第26-30页 |
| ·GaN 基材料中缺陷对材料微结构性质的影响 | 第26-27页 |
| ·GaN 基材料中的缺陷对材料光学性质的影响 | 第27页 |
| ·GaN 基材料中缺陷对材料电学性质的影响 | 第27-28页 |
| ·GaN 基电子材料研究面临的部分科学问题 | 第28-30页 |
| ·GaN 基材料的常用制备方法 | 第30-34页 |
| ·分子束外延技术（MBE） | 第30-31页 |
| ·金属有机化合物气相沉积（MOCVD） | 第31-33页 |
| ·氢化物气相外延（HVPE） | 第33-34页 |
| ·本文的主要工作 | 第34-36页 |
| 第二章 材料生长设备及表征手段 | 第36-47页 |
| ·分子束外延（MBE） | 第36-43页 |
| ·分子束外延的发展及特点 | 第36-37页 |
| ·分子束外延设备结构 | 第37-39页 |
| ·分子束外延原位监测 | 第39-43页 |
| ·分子束外延生长原理 | 第43页 |
| ·材料表征方法 | 第43-47页 |
| ·高分辨 X-ray 衍射(HR-XRD) | 第43-45页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第45-46页 |
| ·霍尔测试（Hall） | 第46-47页 |
| 第三章 GaN 的分子束外延生长生长和极性研究 | 第47-56页 |
| ·N 极性 GaN 的生长 | 第47-50页 |
| ·Ga 极性 GaN 的生长 | 第50-51页 |
| ·GaN 的表征 | 第51-56页 |
| ·原子力显微镜表征 | 第51-54页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第54-56页 |
| 第四章 掺杂对 GaN 电学性质的影响 | 第56-59页 |
| ·GaN 中 H 的作用 | 第56页 |
| ·GaN 的 p 型掺杂 | 第56-59页 |
| 第五章 全文总结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-69页 |
| 附录 A：作者攻读硕士学位期间发表的论文情况 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |