波长可调谐半导体激光器的设计及其制造工艺
| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-4页 |
| 目录 | 第4-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-16页 |
| ·半导体激光器的发展 | 第6-9页 |
| ·半导体激光器发展的几个重要阶段 | 第6-8页 |
| ·半导体激光器的应用及发展前景 | 第8-9页 |
| ·波长可调谐半导体激光器 | 第9-14页 |
| ·分布反馈(DFB)激光器 | 第9-11页 |
| ·分布布拉格反射器(DBR)激光器 | 第11-12页 |
| ·垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL) | 第12-13页 |
| ·外腔可调谐激光器(ECTL) | 第13-14页 |
| ·本论文的主要内容 | 第14-16页 |
| 第二章 V型耦合腔半导体激光器 | 第16-29页 |
| ·研究背景 | 第16-18页 |
| ·器件结构及原理 | 第18-22页 |
| ·阈值条件分析 | 第22-24页 |
| ·模式选择特性 | 第24-28页 |
| ·总结 | 第28-29页 |
| 第三章 单片集成无跳模波长可调谐激光器 | 第29-42页 |
| ·研究背景 | 第29-30页 |
| ·光栅腔激光器的设计方法 | 第30-33页 |
| ·基于光栅腔结构的可调谐激光器设计方法 | 第33-35页 |
| ·单片集成无跳模波长可调谐激光器设计方法 | 第35-42页 |
| 第四章 V型耦合腔半导体激光器的制造工艺及其改进 | 第42-56页 |
| ·工艺流程 | 第42-48页 |
| ·基本工艺流程 | 第42-45页 |
| ·改进的工艺流程 | 第45-48页 |
| ·实验具体操作及工艺改进 | 第48-55页 |
| ·总结 | 第55-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-58页 |
| ·本论文的主要内容 | 第56页 |
| ·实验工作总结 | 第56页 |
| ·课题研究的创新点 | 第56-57页 |
| ·工作展望 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-60页 |