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波长可调谐半导体激光器的设计及其制造工艺

摘要第1-3页
ABSTRACT第3-4页
目录第4-6页
第一章 绪论第6-16页
   ·半导体激光器的发展第6-9页
     ·半导体激光器发展的几个重要阶段第6-8页
     ·半导体激光器的应用及发展前景第8-9页
   ·波长可调谐半导体激光器第9-14页
     ·分布反馈(DFB)激光器第9-11页
     ·分布布拉格反射器(DBR)激光器第11-12页
     ·垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)第12-13页
     ·外腔可调谐激光器(ECTL)第13-14页
   ·本论文的主要内容第14-16页
第二章 V型耦合腔半导体激光器第16-29页
   ·研究背景第16-18页
   ·器件结构及原理第18-22页
   ·阈值条件分析第22-24页
   ·模式选择特性第24-28页
   ·总结第28-29页
第三章 单片集成无跳模波长可调谐激光器第29-42页
   ·研究背景第29-30页
   ·光栅腔激光器的设计方法第30-33页
   ·基于光栅腔结构的可调谐激光器设计方法第33-35页
   ·单片集成无跳模波长可调谐激光器设计方法第35-42页
第四章 V型耦合腔半导体激光器的制造工艺及其改进第42-56页
   ·工艺流程第42-48页
     ·基本工艺流程第42-45页
     ·改进的工艺流程第45-48页
   ·实验具体操作及工艺改进第48-55页
   ·总结第55-56页
第五章 总结与展望第56-58页
   ·本论文的主要内容第56页
   ·实验工作总结第56页
   ·课题研究的创新点第56-57页
   ·工作展望第57-58页
致谢第58-59页
参考文献第59-60页

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