| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·Spice软件介绍 | 第7-8页 |
| ·SPICE仿真程序 | 第7页 |
| ·元器件模型 | 第7-8页 |
| ·本论文的研究目的及章节安排 | 第8-11页 |
| ·研究目的 | 第8页 |
| ·章节安排 | 第8-11页 |
| 第二章 应变Si/应变SiGe材料的物理特性 | 第11-17页 |
| ·应变Si/应变SiGe晶格结构 | 第11-12页 |
| ·应变Si/应变SiGe 材料的物理特性 | 第12-14页 |
| ·应变对硅材料能带的影响 | 第12-14页 |
| ·应变对SiGe材料能带的影响 | 第14页 |
| ·应变Si/应变SiGe材料的传输特性 | 第14-16页 |
| ·驰豫SiGe材料的传输特性 | 第14-15页 |
| ·应变SiGe材料的传输特性 | 第15页 |
| ·应变Si材料的输运特性 | 第15-16页 |
| ·本章小结 | 第16-17页 |
| 第三章 Spice中MOS场效应晶体管模型 | 第17-43页 |
| ·场效应管的等效电路模型 | 第17页 |
| ·M0S1 模型 | 第17-19页 |
| ·M0S2 模型 | 第19-23页 |
| ·短沟道效应 | 第19-20页 |
| ·静电反馈效应 | 第20-21页 |
| ·窄沟道效应 | 第21页 |
| ·迁移率修正 | 第21页 |
| ·沟道长度调制效应 | 第21-22页 |
| ·载流子有限漂移速度引起的电流饱和 | 第22页 |
| ·弱反型导电 | 第22-23页 |
| ·MOS3 模型 | 第23-26页 |
| ·沟道长度和宽度对阈值电压的影响 | 第23-24页 |
| ·表面迁移率调制 | 第24-25页 |
| ·热电子速度饱和 | 第25页 |
| ·饱和电压的下降 | 第25页 |
| ·沟道长度调制 | 第25页 |
| ·弱反型导电 | 第25-26页 |
| ·电容模型 | 第26-28页 |
| ·Meyer模型 | 第26-27页 |
| ·Ward模型 | 第27-28页 |
| ·小信号模型 | 第28-30页 |
| ·串联电阻的影响 | 第30页 |
| ·BSIM短沟道MOS晶体管模型 | 第30-42页 |
| ·BSIM1 模型 | 第30-33页 |
| ·BSIM2 模型 | 第33-35页 |
| ·BSIM3 模型 | 第35-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 应变Si表面沟道MOSFET器件模型 | 第43-57页 |
| ·应变Si表面沟道NMOSFET | 第43-50页 |
| ·基本结构 | 第43页 |
| ·阈值电压模型 | 第43-46页 |
| ·电子迁移率模型 | 第46-48页 |
| ·电流-电压模型 | 第48-49页 |
| ·跨导和漏导模型 | 第49页 |
| ·等效电路模型 | 第49-50页 |
| ·应变Si表面沟道PMOSFET | 第50-55页 |
| ·基本结构 | 第50页 |
| ·阈值电压模型 | 第50-51页 |
| ·空穴迁移率模型 | 第51-53页 |
| ·电流-电压模型 | 第53-54页 |
| ·跨导和漏导模型 | 第54页 |
| ·等效电路模型 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 应变SiGe调制掺杂量子阱沟道PMOSFET模型 | 第57-67页 |
| ·基本结构 | 第57-58页 |
| ·阈值电压模型 | 第58-60页 |
| ·迁移率模型 | 第60-62页 |
| ·电流-电压模型 | 第62-63页 |
| ·跨导和漏导模型 | 第63-64页 |
| ·等效电路模型 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第六章 结束语 | 第67-69页 |
| ·工作总结 | 第67-68页 |
| ·改进方向和对研究方向的展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 研究成果 | 第73-74页 |