| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-15页 |
| 第一章 前言 | 第15-35页 |
| ·晶硅太阳电池（光伏器件）的基本原理 | 第15-22页 |
| ·光电池的物理过程 | 第15-16页 |
| ·光电池的I-V 特性 | 第16-19页 |
| ·寄生电阻的影响 | 第19-20页 |
| ·光学损失和复合损失 | 第20-22页 |
| ·晶硅太阳电池的种类和技术发展 | 第22-26页 |
| ·本论文的研究目的和内容 | 第26-27页 |
| 本章参考文献 | 第27-35页 |
| 第二章 制备及测试表征技术 | 第35-47页 |
| ·制备设备 | 第35-39页 |
| ·磁控溅射镀膜 | 第35-38页 |
| ·真空蒸发镀膜 | 第38-39页 |
| ·测试表征技术 | 第39-46页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第39-40页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第40页 |
| ·X 射线光电子能谱（XPS） | 第40-41页 |
| ·光致荧光发光谱（PL） | 第41-42页 |
| ·紫外—可见光分光光度计测量薄膜透光率 | 第42-43页 |
| ·四探针及霍尔效应测试薄膜电学性能 | 第43-44页 |
| ·电化学C-V | 第44-45页 |
| ·太阳电池光谱测试系统 | 第45-46页 |
| 本章参考文献 | 第46-47页 |
| 第三章 新型硅基 SINP 异质面蓝紫光电池的研究 | 第47-119页 |
| ·引言 | 第47-49页 |
| ·实验 | 第49-55页 |
| ·射频磁控溅射ITO 薄膜微结构、电学及光学性能的研究 | 第55-72页 |
| ·ITO薄膜的制备 | 第56-57页 |
| ·基片温度对射频磁控溅射ITO 薄膜微结构的影响 | 第57-61页 |
| ·基片温度对射频磁控溅射ITO 薄膜电学性能的影响 | 第61-64页 |
| ·基片温度对射频磁控溅射ITO 薄膜光学性能的影响 | 第64-69页 |
| ·用作新型SINP 硅光电池减反射、收集电极的ITO 薄膜性能 | 第69-72页 |
| ·超薄氧化硅层及SINP 结构光电池样品XPS 分析 | 第72-82页 |
| ·超薄氧化硅层的XPS 分析 | 第72-77页 |
| ·SINP 结构光电池样品XPS 分析 | 第77-82页 |
| ·S-1（浅结）SINP 硅蓝紫光电池I-V 特性及光谱响应的研究 | 第82-93页 |
| ·S—1（浅结）SINP 硅蓝紫光电池I-V 特性分析 | 第82-89页 |
| ·S—1（浅结）SINP 硅蓝紫光电池RD-V 特性的研究 | 第89-91页 |
| ·S—1（浅结）SINP 硅蓝紫光电池光谱响应分析 | 第91-93页 |
| ·D-1 常规SINP 硅光电池pn 结C-V、I-V 特性及光谱响应的研究 | 第93-101页 |
| ·D-1 常规SINP 硅光电池C—V 特性 | 第93-96页 |
| ·D-1 常规SINP 硅光电池I—V 特性分析 | 第96-100页 |
| ·D-1 常规SINP 硅光电池光谱响应分析 | 第100-101页 |
| ·新型SINP 硅蓝紫光电池与常规SINP 光电池性能比较 | 第101-115页 |
| ·I—V 特性比较分析 | 第101-106页 |
| ·光谱响应比较分析 | 第106-109页 |
| ·光电转换效率 | 第109-112页 |
| ·最新研制的采用60Ω/□n+发射极的浅结SINP 硅蓝紫光电池 | 第112-115页 |
| ·本章小结 | 第115-117页 |
| 本章参考文献 | 第117-119页 |
| 第四章 直流磁控溅射 AZO 薄膜及 SIS 异质结器件光电性能的研究 | 第119-157页 |
| ·直流磁控溅射AZO 薄膜微结构、电学及光学性能的研究 | 第119-132页 |
| ·引言 | 第119-120页 |
| ·直流磁控溅射法制备AZO 薄膜 | 第120页 |
| ·基片温度对直流磁控溅射AZO 薄膜微结构的影响 | 第120-125页 |
| ·基片温度对直流磁控溅射AZO 薄膜电学性能的影响 | 第125-128页 |
| ·基片温度对直流磁控溅射AZO 薄膜光学性能的影响 | 第128-130页 |
| ·直流磁控溅射GZO 薄膜 | 第130-132页 |
| ·新型直流磁控溅射AZO/SiO_2/p-Si SIS 异质结的制备及光电性能的研究 | 第132-142页 |
| ·AZO/SiO_2/p-Si SIS 异质结器件基本原理 | 第132-136页 |
| ·直流磁控溅射AZO/SiO_2/p-Si SIS 异质结的制备 | 第136-137页 |
| ·用作SIS异质结器件发射极的直流磁控溅射AZO薄膜性能 | 第137-139页 |
| ·直流磁控溅射AZO/SiO_2/p-Si SIS 异质结I—V 特性分析 | 第139-142页 |
| ·新型ITO/AZO/SiO_2/p-Si SIS 异质结的制备及光电性能的研究 | 第142-150页 |
| ·ITO/AZO/SiO_2/p-Si SIS 异质结的制备 | 第142-144页 |
| ·ITO 及AZO 薄膜微结构、光学及电学性能 | 第144-146页 |
| ·ITO/AZO/SiO_2/p-Si SIS 异质结的C-V 特性 | 第146页 |
| ·ITO/AZO/SiO_2/p-Si SIS异质结的I—V特性分析 | 第146-150页 |
| ·采用Cu 栅指电极的直流磁控溅射AZO/SiO_2/p-Si SIS 异质结光电池 | 第150-154页 |
| ·SIS 异质结光电池的制备 | 第150-151页 |
| ·SIS 异质结光电池的I-V 特性 | 第151-154页 |
| ·本章小结 | 第154-155页 |
| 本章参考文献 | 第155-157页 |
| 第五章 直流反应磁控溅射 AZO 薄膜及 SIS 异质结器件光电性能的研究 | 第157-178页 |
| ·直流反应磁控溅射AZO 薄膜微结构、电学及光学性能的研究 | 第157-172页 |
| ·引言 | 第157页 |
| ·直流反应磁控溅射法制备AZO 薄膜 | 第157-158页 |
| ·基片温度对直流反应磁控溅射AZO 薄膜微结构的影响 | 第158-166页 |
| ·基片温度对直流反应磁控溅射AZO 薄膜电学性能的影响 | 第166-168页 |
| ·基片温度对直流反应磁控溅射AZO 薄膜光学性能的影响 | 第168-172页 |
| ·新型直流反应磁控溅射AZO/SiO_2/p-Si SIS 异质结的制备及光电性能的研究 | 第172-176页 |
| ·直流反应磁控溅射AZO/SiO_2/p-Si SIS 异质结的制备 | 第172-173页 |
| ·用作SIS 异质结器件发射极的直流反应磁控溅射AZO 薄膜性能 | 第173-175页 |
| ·直流反应磁控溅射AZO/SiO_2/p-Si SIS 异质结的I—V 特性分析 | 第175-176页 |
| ·本章小结 | 第176-177页 |
| 本章参考文献 | 第177-178页 |
| 第六章 几种磁控溅射方法制备 AZO 薄膜及 SIS 异质结器件性能的比较 | 第178-186页 |
| ·不同磁控溅射方法制备AZO 薄膜性能比较 | 第178-182页 |
| ·几种磁控溅射方法制备 SIS 异质结光电性能比较 | 第182-185页 |
| ·本章小结 | 第185页 |
| 本章参考文献 | 第185-186页 |
| 第七章 结论与展望 | 第186-190页 |
| 附录：硅太阳电池光谱响应的计算与分析 | 第190-217页 |
| 作者在攻读博士学位期间公开发表的论文 | 第217-219页 |
| 作者在攻读博士学位期间所作的项目 | 第219-220页 |
| 致谢 | 第220页 |
