| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-8页 |
| 第1章 引言 | 第11-31页 |
| 1.1 四族元素低维材料研究背景 | 第11-16页 |
| 1.1.1 锗硅一维纳米线结构 | 第11-12页 |
| 1.1.2 二维材料石墨烯 | 第12-16页 |
| 1.2 太赫兹光电探测 | 第16-25页 |
| 1.2.1 太赫兹的特性 | 第16-17页 |
| 1.2.2 石墨烯在太赫兹波段的应用 | 第17-20页 |
| 1.2.3 太赫兹光电探测的相应机理 | 第20-25页 |
| 1.3 拓扑绝缘体的研究背景 | 第25-29页 |
| 1.3.1 拓扑绝缘体在光电探测方面的应用 | 第27-29页 |
| 1.4 本论文的主要工作 | 第29-31页 |
| 第2章 图样化硅(1 1 10)表面锗硅平面纳米线自组织生长研究. | 第31-48页 |
| 2.1 [55-1]方向图样化硅衬底表面锗硅纳米线的异质外延 | 第31-40页 |
| 2.1.1 锗硅异质外延的生长和理论模拟方法 | 第31页 |
| 2.1.2 [5 5-1]方向图样化硅衬底表面锗硅纳米线表面形貌的表征 | 第31-34页 |
| 2.1.3 [5 5-1]方向图样化硅衬底表面纳米线理论模型的建立和计算 | 第34-40页 |
| 2.2 [1-10]方向图样化硅衬底表面锗硅纳米线的异质外延和理论模拟 | 第40-46页 |
| 2.2.1 [1-1 0]方向图样化硅衬底表面锗硅纳米线的生长和形貌的表征. | 第40-43页 |
| 2.2.2 [1-1 0]方向图样化硅衬底表面纳米线理论模型的建立和计算 | 第43-46页 |
| 2.3 本章小结 | 第46-48页 |
| 第3章 介质表面纳米石墨烯的无催化的直接生长 | 第48-65页 |
| 3.1 石墨烯的直接生长 | 第48页 |
| 3.2 纳米石墨烯的表征手段 | 第48-51页 |
| 3.2.1 石墨烯的拉曼光谱 | 第48-50页 |
| 3.2.2 透射电子显微镜制样 | 第50-51页 |
| 3.3 液态有机碳源的优化和化学气相沉积系统 | 第51-54页 |
| 3.4 介质上生长的纳米石墨烯的生长和表征 | 第54-61页 |
| 3.5 纳米石墨烯薄膜的电学和光学性质 | 第61-63页 |
| 3.6 本章小结 | 第63-65页 |
| 第4章 石墨烯场效应管在微波/太赫兹波段的光电响应研究 | 第65-81页 |
| 4.1 顶栅石墨烯场效应管的制备 | 第65-68页 |
| 4.2 顶栅石墨烯场效应晶体管的光电表征 | 第68-77页 |
| 4.2.1 顶栅石墨烯场效应晶体管的微波响应 | 第68-74页 |
| 4.2.2 顶栅石墨烯场效应晶体管的太赫兹响应 | 第74-77页 |
| 4.3 拓扑绝缘体Bi_2Te_3与石墨烯的比较 | 第77-79页 |
| 4.4 本章小结 | 第79-81页 |
| 第5章 总结与展望 | 第81-85页 |
| 5.1 总结 | 第81-82页 |
| 5.2 展望 | 第82-85页 |
| 参考文献 | 第85-95页 |
| 致谢 | 第95-97页 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第97-98页 |
