| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 论文的研究背景 | 第8-10页 |
| 1.2 浮栅晶体管及数据残留现象概述 | 第10-15页 |
| 1.2.1 浮栅晶体管的结构发展 | 第10-12页 |
| 1.2.2 数据残留现象概述 | 第12页 |
| 1.2.3 国内外发展概述 | 第12-15页 |
| 1.3 论文的选题意义及内容结构 | 第15-18页 |
| 1.3.1 论文的选题意义 | 第15-16页 |
| 1.3.2 论文的内容结构 | 第16-18页 |
| 第2章 浮栅晶体管的器件结构与编程操作建模 | 第18-28页 |
| 2.1 器件建模软件介绍 | 第18-20页 |
| 2.2 浮栅晶体管的器件结构建模 | 第20-22页 |
| 2.2.1 浮栅晶体管的工艺流程 | 第20-21页 |
| 2.2.2 浮栅晶体管的结构建模过程及结果 | 第21-22页 |
| 2.3 浮栅晶体管的编程操作建模 | 第22-27页 |
| 2.3.1 浮栅晶体管的写操作原理及建模 | 第23-25页 |
| 2.3.2 浮栅晶体管的擦操作原理及建模 | 第25-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 数据恢复机制与深度擦除方法的研究 | 第28-42页 |
| 3.1 擦除过程的阈值电压分析 | 第28-34页 |
| 3.1.1 擦除过程的基本操作汇总 | 第28-30页 |
| 3.1.2 浮栅晶体管的阈值电压提取 | 第30-31页 |
| 3.1.3 擦除过程中的阈值电压仿真 | 第31-34页 |
| 3.1.3.1 仿真过程及结果 | 第31-33页 |
| 3.1.3.2 数据恢复机制分析 | 第33-34页 |
| 3.2 覆写操作的阈值电压分析 | 第34-39页 |
| 3.2.1 覆写连续擦操作的阈值电压分析 | 第34-36页 |
| 3.2.1.1 连续擦操作的阈值电压公式拟合 | 第34-35页 |
| 3.2.1.2 连续擦操作的擦除效果分析 | 第35-36页 |
| 3.2.2 覆写擦写循环操作的阈值电压分析 | 第36-38页 |
| 3.2.2.1 覆写擦写循环操作的阈值电压理论分析 | 第36-37页 |
| 3.2.2.2 覆写擦写循环操作的擦除效果分析 | 第37-38页 |
| 3.2.3 覆写连续擦操作与擦写循环操作的阈值电压比较 | 第38-39页 |
| 3.3 深度擦除方法 | 第39-40页 |
| 3.3.1 深度擦除方法的评价体系 | 第39-40页 |
| 3.3.2 深度擦除方法的提出 | 第40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章 数据残留特性验证芯片的单元设计 | 第42-58页 |
| 4.1 验证芯片的架构设计 | 第42-46页 |
| 4.1.1 验证芯片架构介绍 | 第42-43页 |
| 4.1.2 验证芯片的关键模块设计 | 第43-46页 |
| 4.2 数据恢复验证单元设计 | 第46-54页 |
| 4.2.1 数据恢复验证单元的架构设计 | 第46-49页 |
| 4.2.2 数据恢复验证单元的电路设计 | 第49-53页 |
| 4.2.3 仿真结果及分析 | 第53-54页 |
| 4.3 数据恢复验证单元的版图设计 | 第54-56页 |
| 4.3.1 数据恢复验证单元的版图设计 | 第54-55页 |
| 4.3.2 数据恢复验证单元的后仿真 | 第55-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第5章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 总结 | 第58-59页 |
| 5.2 展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66页 |