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Yb:YAG碟片激光器放大自发辐射效应的理论研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第8-15页
    1.1 碟片激光器的特点及其发展现状第8-10页
    1.2 放大自发辐射的提出以及研究概况第10-13页
    1.3 碟片激光器热负载的提出以及研究概况第13页
    1.4 本文的研究内容第13-15页
2 放大自发辐射理论模型建立第15-29页
    2.1 放大自发辐射的基础模型第15-16页
    2.2 碟片增益区一维分层模型第16-20页
    2.3 碟片增益区三维网格模型第20-27页
    2.4 ASE的光谱特性第27-28页
    2.5 本章小结第28-29页
3 ASE效应对碟片激光器输出特性的影响第29-42页
    3.1 准三能级速率方程的求解第29-38页
    3.2 碟片的输出功率特性第38-41页
    3.3 本章小结第41-42页
4 ASE效应对碟片激光器温度特性的影响第42-51页
    4.1 热分析理论第42-45页
    4.2 考虑ASE效应后碟片的温度特性第45-49页
    4.3 本章小结第49-51页
5 总结与展望第51-53页
致谢第53-54页
参考文献第54-58页
附录 攻读硕士学位期间发表论文目录第58页

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