| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 专用术语注释表 | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-27页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 忆阻器的基础 | 第11-12页 |
| 1.2.1 忆阻器的定义 | 第11-12页 |
| 1.2.2 忆阻器的特性和典型应用 | 第12页 |
| 1.3 忆阻器的开关机制 | 第12-21页 |
| 1.3.1 离子迁移 | 第13-18页 |
| 1.3.2 相变 | 第18-19页 |
| 1.3.3 铁电隧道 | 第19-21页 |
| 1.4 有机忆阻器的进展 | 第21-24页 |
| 1.5 神经突触简介 | 第24-25页 |
| 1.6 本论文的主要工作和意义 | 第25-27页 |
| 第二章 基于ZnTPP厚度效应对忆阻器的性能调控 | 第27-38页 |
| 2.1 引言 | 第27页 |
| 2.2 基于ZnTPP有机二极管忆阻器机制阐述 | 第27-29页 |
| 2.3 基于ZnTPP厚度效应的有机二极管忆阻器制备 | 第29-30页 |
| 2.4 基于ZnTPP厚度效应的有机二极管忆阻器电学测试 | 第30-37页 |
| 2.4.1 能带结构 | 第30页 |
| 2.4.2 I-V特性曲线测试与分析 | 第30-37页 |
| 2.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 基于ZnTPP溶液加工的忆阻器及其应用研究 | 第38-44页 |
| 3.1 引言 | 第38页 |
| 3.2 基于ZnTPP溶液加工的有机二极管忆阻器制备 | 第38-39页 |
| 3.3 基于ZnTPP溶液加工的有机二极管忆阻器电学测试 | 第39-40页 |
| 3.4 基于ZnTPP溶液加工的有机二极管忆阻器突触模拟 | 第40-43页 |
| 3.4.1 基于ZnTPP溶液加工的有机二极管忆阻器“兴奋抑制”模拟 | 第40-41页 |
| 3.4.2 基于ZnTPP溶液加工的有机二极管忆阻器“学习遗忘”模拟 | 第41-42页 |
| 3.4.3 基于ZnTPP溶液加工的有机二极管忆阻器“SRDP”模拟 | 第42-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 基于ZnTPP的有机柔性忆阻器及其应用研究 | 第44-61页 |
| 4.1 引言 | 第44-46页 |
| 4.2 基于ZnTPP的有机柔性二极管忆阻器制备 | 第46-47页 |
| 4.3 基于ZnTPP的有机柔性二极管忆阻器的电学测试 | 第47-48页 |
| 4.4 基于ZnTPP的有机柔性二极管忆阻器突触模拟 | 第48-51页 |
| 4.4.1 基于ZnTPP的有机柔性二极管忆阻器“兴奋抑制”模拟 | 第48-49页 |
| 4.4.2 基于ZnTPP的有机二极管柔性忆阻器的“学习遗忘”模拟 | 第49-50页 |
| 4.4.3 基于ZnTPP的有机二极管柔性忆阻器的“SRDP”模拟 | 第50-51页 |
| 4.5 基于ZnTPP的有机柔性二极管忆阻器弯曲电学测试和突触模拟 | 第51-60页 |
| 4.5.1 弯曲一定次数对ZnTPP有机柔性二极管忆阻器电学测试影响 | 第51-54页 |
| 4.5.2 弯曲一定次数对ZnTPP有机柔性二极管忆阻器突触模拟的影响 | 第54-56页 |
| 4.5.3 弯曲一定半径对ZnTPP有机柔性忆阻器的影响 | 第56-58页 |
| 4.5.4 弯曲一定次数对ZnTPP有机柔性忆阻器的形貌影响 | 第58-60页 |
| 4.6 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第67-68页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第68-69页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
