首页--工业技术论文--自动化技术、计算机技术论文--自动化技术及设备论文--自动化元件、部件论文--发送器(变换器)、传感器论文

基于化学气相沉积法制备的石墨烯薄膜在K~+传感器中的应用

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第11-31页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 石墨烯的结构与性能第12-14页
    1.3 石墨烯的应用第14-17页
        1.3.1 催化剂基底第14-15页
        1.3.2 石墨烯应用于传感器第15-17页
    1.4 石墨烯的制备方法第17-29页
        1.4.1 阳极键合法第17-18页
        1.4.2 液相剥离法第18页
        1.4.3 激光烧蚀及剥离法第18-19页
        1.4.4 氧化还原法第19页
        1.4.5 SiC外延生长法第19-21页
        1.4.6 化学气相沉积法第21-29页
    1.5 生物传感器的研究现状及发展趋势第29-30页
        1.5.1 研究现状第29页
        1.5.2 发展趋势第29-30页
    1.6 本文的研究意义及内容第30-31页
第二章 实验方法与过程第31-43页
    2.1 实验原料第31页
    2.2 石墨烯常规生长与转移工艺第31-37页
        2.2.1 石墨烯生长工艺第31-35页
        2.2.2 转移过程第35-36页
        2.2.3 石墨烯霍尔传感器的制作第36-37页
        2.2.4 石墨烯霍尔器件的测试过程第37页
    2.3 表征方法第37-43页
        2.3.1 拉曼散射谱表征第37-39页
        2.3.2 光学显微镜观察第39-40页
        2.3.3 扫描电子显微镜表征第40-41页
        2.3.4 透射电子显微镜表征第41页
        2.3.5 透光率第41页
        2.3.6 原子力显微镜表征第41-42页
        2.3.7 X射线衍射能谱分析第42页
        2.3.8 霍尔分析第42-43页
第三章 铜箔表面形貌对CVD法制备石墨烯的影响第43-55页
    3.1 引言第43页
    3.2 结论与分析第43-53页
        3.2.1 表观形貌第43-48页
        3.2.2 铜箔表面的粗糙度对石墨烯的影响第48-50页
        3.2.3 石墨烯转移置基板上的表观形貌第50-51页
        3.2.4 石墨烯电学性能测试第51-52页
        3.2.5 石墨烯的生长第52-53页
    3.3 本章小结第53-55页
第四章 石墨烯薄膜在K~+传感器中的应用第55-75页
    4.1 引言第55页
    4.2 石墨烯性能的测试第55-73页
        4.2.1 TE缓冲液对石墨烯霍尔元器件性能的影响第57-59页
        4.2.2 钾离子对于石墨烯霍尔器件的影响第59-60页
        4.2.3 钠离子对于石墨烯霍尔器件的影响第60-62页
        4.2.4 DNA对于石墨烯霍尔器件的影响第62-66页
        4.2.5 钾离子对DNA饱和沉积石墨烯霍尔器件性能的影响第66-67页
        4.2.6 钠离子对DNA饱和沉积石墨烯霍尔器件性能的影响第67-69页
        4.2.7 钾离子、钠离子对有无DNA的石墨烯霍尔器件的影响第69-71页
        4.2.8 钾离子、钠离子检测石墨烯霍尔器件的灵敏度第71-72页
        4.2.9 钾离子与人体内其他离子之间的检测分析第72-73页
    4.3 本章小结第73-75页
第五章 结论与展望第75-77页
    5.1 结论第75页
    5.2 展望第75-77页
致谢第77-79页
参考文献第79-89页
附录 攻读硕士研究生期间发表的论文第89页

论文共89页,点击 下载论文
上一篇:分布式土壤湿度检测和灌溉决策系统研究
下一篇:大口径精密部件柔顺装配力控制研究