| 摘要 | 第4-7页 |
| abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-29页 |
| 1.1 TMDs简介 | 第14-22页 |
| 1.1.1 晶体结构 | 第14-18页 |
| 1.1.2 Raman振动特性 | 第18页 |
| 1.1.3 电子结构 | 第18-20页 |
| 1.1.4 压电特性 | 第20-22页 |
| 1.2 TMDs的应用 | 第22-23页 |
| 1.2.1 发光 | 第22页 |
| 1.2.2 能量存储 | 第22-23页 |
| 1.2.3 压电催化 | 第23页 |
| 1.3 过渡金属二硫族化合物(TMDs)的研究现状 | 第23-26页 |
| 1.3.1 体材料TMDs的高压研究 | 第23-26页 |
| 1.3.2 单层TMDs及量子点的高压研究 | 第26页 |
| 1.3.3 MoS_2作为降解有机物的催化剂研究现状 | 第26页 |
| 1.4 本工作的研究目的和意义 | 第26-28页 |
| 1.5 本论文各部分的主要内容 | 第28-29页 |
| 第二章 高压实验技术简介 | 第29-33页 |
| 2.1 高压实验技术 | 第29-30页 |
| 2.2 高压DAC装置 | 第30-31页 |
| 2.3 传压介质的选择 | 第31-32页 |
| 2.4 压力标定 | 第32-33页 |
| 第三章 传压介质对MoS_2高压结构相变和压致金属化的影响 | 第33-43页 |
| 3.1 研究背景 | 第33-34页 |
| 3.2 实验方法 | 第34-35页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第35-41页 |
| 3.3.1 高压拉曼 | 第35-39页 |
| 3.3.2 高压红外 | 第39-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 压力对二硒化钨结构及带隙的调制 | 第43-57页 |
| 4.1 研究背景 | 第43-44页 |
| 4.2 实验和理论方法 | 第44-46页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第46-54页 |
| 4.3.1 高压拉曼 | 第46-47页 |
| 4.3.2 高压XRD | 第47-49页 |
| 4.3.3 高压红外 | 第49-53页 |
| 4.3.4 理论计算 | 第53-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-57页 |
| 第五章 高压下WS_2量子点的结构及光学性质研究 | 第57-71页 |
| 5.1 研究背景 | 第57-58页 |
| 5.2 实验和理论方法 | 第58-60页 |
| 5.3 结果和讨论 | 第60-69页 |
| 5.3.1 WS_2QDs的常压表征 | 第60-63页 |
| 5.3.2 高压荧光 | 第63-65页 |
| 5.3.3 高压拉曼 | 第65-67页 |
| 5.3.4 理论计算 | 第67-69页 |
| 5.4 本章小结 | 第69-71页 |
| 第六章 MoS_2/RGO异质结构的双压电效应及其压电催化特性研究 | 第71-93页 |
| 6.1 研究背景 | 第71-72页 |
| 6.2 实验细节 | 第72-74页 |
| 6.3 结果和讨论 | 第74-91页 |
| 6.3.1 样品表征 | 第74-77页 |
| 6.3.2 压电表征 | 第77-80页 |
| 6.3.3 压电催化表现 | 第80-83页 |
| 6.3.4 压电催化机制 | 第83-91页 |
| 6.4 本章小结 | 第91-93页 |
| 第七章 结论 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-109页 |
| 攻读博士学位期间完成的学术论文 | 第109-111页 |
| 致谢 | 第111-113页 |
| 作者简介 | 第113页 |
