| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 薄膜太阳能电池研究进展 | 第12-13页 |
| 1.3 铁电材料 | 第13-17页 |
| 1.3.1 铁电材料的性质与特征 | 第14-16页 |
| 1.3.2 铁电薄膜的光伏效应 | 第16-17页 |
| 1.4 Pb(Zr_xTi_(1-x))O_3(PZT)铁电材料的光伏效应 | 第17-20页 |
| 1.5 GaAs半导体介绍 | 第20-22页 |
| 1.6 论文的选题及研究方案 | 第22-24页 |
| 第二章 薄膜的制备工艺及其表征方法 | 第24-34页 |
| 2.1 常见的薄膜制备技术简介 | 第24页 |
| 2.2 脉冲激光沉积(PLD)制备薄膜的原理与特点 | 第24-26页 |
| 2.3 激光分子束外延(L-MBE)的原理与特点 | 第26-28页 |
| 2.4 薄膜微观结构与组分表征 | 第28-32页 |
| 2.4.1 反射高能电子衍射(RHEED) | 第28页 |
| 2.4.2 X射线衍射仪(XRD) | 第28-30页 |
| 2.4.3 X射线光电子能谱(XPS) | 第30页 |
| 2.4.4 原子力显微镜(AFM) | 第30-31页 |
| 2.4.5 扫描电子显微镜(SEM) | 第31-32页 |
| 2.5 薄膜电学性能与光伏特性表征 | 第32-34页 |
| 2.5.1 薄膜漏电流测试 | 第32页 |
| 2.5.2 薄膜铁电性能测试 | 第32-33页 |
| 2.5.3 薄膜光伏特性测试 | 第33-34页 |
| 第三章 PZT/GaAs异质结的制备工艺研究 | 第34-50页 |
| 3.1 GaAs衬底上复合缓冲层STO/TiO_2的生长 | 第34-38页 |
| 3.1.1 GaAs基片的表面清洁处理 | 第34-36页 |
| 3.1.2 激光分子束外延法制备TiO_2缓冲层 | 第36-37页 |
| 3.1.3 激光分子束外延制备STO缓冲层 | 第37-38页 |
| 3.2 脉冲激光沉积法制备PZT铁电薄膜 | 第38-48页 |
| 3.2.1 温度对PZT铁电薄膜生长的影响 | 第39-41页 |
| 3.2.2 氧分压对PZT铁电薄膜生长的影响 | 第41-43页 |
| 3.2.3 复合缓冲层对PZT铁电薄膜的生长的影响 | 第43-45页 |
| 3.2.4 PZT与GaAs的外延关系 | 第45-46页 |
| 3.2.5 XPS 成分分析 | 第46-48页 |
| 3.3 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 PZT/GaAs异质结构的铁电性与光伏特性研究 | 第50-61页 |
| 4.1 PZT/GaAs异质结构的铁电性研究 | 第50-53页 |
| 4.2 透明电极ITO薄膜的制备 | 第53-54页 |
| 4.3 PZT/GaAs异质结构的光伏特性研究 | 第54-60页 |
| 4.3.1 缓冲层对光伏特性的影响 | 第54-55页 |
| 4.3.2 极化方式对光伏特性的影响 | 第55-59页 |
| 4.3.3 光照强度对光伏特性的影响 | 第59-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-63页 |
| 5.1 结论 | 第61-62页 |
| 5.2 展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第69页 |
