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薄膜力学性质及台阶势垒影响下的表面形貌计算模拟研究

摘要第5-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第10-17页
    1.1 研究背景和意义第10页
    1.2 纳米材料的研究现状和应用第10-14页
        1.2.1 零维量子点的研究现状和应用第11-12页
        1.2.2 一维量子线的研究现状和应用第12页
        1.2.3 二维量子阱的研究现状和应用第12-14页
    1.3 本论文选题角度第14-15页
        1.3.1 力学性质第14-15页
        1.3.2 台阶势垒第15页
    1.4 本论文研究意义第15页
    1.5 本论文的主要内容和结构安排第15-17页
第二章 薄膜的理论形成过程第17-23页
    2.1 薄膜的制备方法第17页
    2.2 模拟薄膜生长过程第17-18页
    2.3 薄膜生长的理论模式第18-20页
    2.4 原子成核的理论规律第20-22页
    2.5 本章小结第22-23页
第三章 计算机模拟理论第23-37页
    3.1 第一性原理法第23-26页
        3.1.1 密度泛函理论第23-25页
        3.1.2 VASP软件包第25-26页
    3.2 分子动力学法第26-31页
        3.2.1 分子动力学法的简介第26页
        3.2.2 分子动力学的基本原理第26-28页
        3.2.3 分子动力学中的系综第28-29页
        3.2.4 分子动力学中的势函数第29-30页
        3.2.5 分子动力学软件第30-31页
    3.3 蒙特卡罗法第31-36页
        3.3.1 蒙特卡罗法简介第31-32页
        3.3.2 蒙特卡罗法的基本步骤及特点第32页
        3.3.3 蒙特卡罗法中的随机行走问题第32-34页
        3.3.4 蒙特卡罗法模拟薄膜生长第34-36页
    3.4 本章小结第36-37页
第四章 薄膜拉伸的力学性质分析第37-48页
    4.1 构建模型及设置仿真环境第37-39页
    4.2 应力应变关系及拉伸过程分析第39-42页
    4.3 屈服点和杨氏模量第42-44页
    4.4 厚度对薄膜拉伸性质的影响第44-45页
    4.5 温度对薄膜拉伸性质的影响第45-47页
    4.6 本章小结第47-48页
第五章 台阶势垒对薄膜表面的影响第48-64页
    5.1 台阶势垒第48-52页
        5.1.1 台阶势垒的简介第48-49页
        5.1.2 台阶势垒的分类第49-50页
        5.1.3 铜和铝的台阶势垒第50-52页
    5.2 薄膜生长二维模型的建立第52-53页
    5.3 模拟结果分析第53-62页
        5.3.1 模拟薄膜的表面形貌第53-55页
        5.3.2 台阶势垒的变化对粗糙度的影响第55-57页
        5.3.3 二维台阶与三维台阶势垒的竞争关系第57-59页
        5.3.4 温度的变化对薄膜形貌的影响第59-61页
        5.3.5 温度变化下二维与三维台阶势垒的竞争关系第61-62页
    5.4 本章小结第62-64页
第六章 全文总结和展望第64-66页
    6.1 全文总结第64-65页
    6.2 后续工作展望第65-66页
致谢第66-67页
参考文献第67-73页
硕士期间取得的研究成果第73页

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