| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 研究工作的背景 | 第10-12页 |
| 1.2 研究工作的发展现状 | 第12-14页 |
| 1.3 研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 实验原理与方法 | 第15-27页 |
| 2.1 材料制备原理与方法 | 第15-20页 |
| 2.1.1 薄膜生长原理 | 第15-17页 |
| 2.1.2 分子束外延 | 第17-19页 |
| 2.1.3 物理气相沉积 | 第19-20页 |
| 2.2 材料结构、形貌及物性表征 | 第20-26页 |
| 2.2.1 反射式高能电子衍射仪 | 第20-22页 |
| 2.2.2 扫描隧道显微镜 | 第22-23页 |
| 2.2.3 X射线衍射仪 | 第23-25页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜 | 第25-26页 |
| 2.2.5 X射线能谱分析 | 第26页 |
| 2.2.6 热导测试 | 第26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 分子束外延制备锑膜及其性质研究 | 第27-38页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 分子束外延生长系统工作原理 | 第27-30页 |
| 3.2.1 实验原理 | 第27-28页 |
| 3.2.2 实验流程 | 第28-30页 |
| 3.3 分子束外延制备Sb膜及表面结构的研究 | 第30-37页 |
| 3.3.1 Si(111)上生长Bi_2Se_3薄膜 | 第30-34页 |
| 3.3.2 Bi_2Se_3薄膜上Sb的生长研究 | 第34-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 物理气相沉积法制备三元合金Sb_2(Te_xSe_(1-x))_3膜 | 第38-57页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 物理气相沉积系统工作原理 | 第38-42页 |
| 4.2.1 实验原理 | 第38-40页 |
| 4.2.2 实验流程 | 第40-42页 |
| 4.3 H-Si(111)衬底上Sb_2(Te_xSe_(1-x))_3合金膜生长研究 | 第42-54页 |
| 4.3.1 H-Si(111)衬底上Sb_2Te_3薄膜的生长研究 | 第42-44页 |
| 4.3.2 掺杂材料的研究 | 第44-46页 |
| 4.3.3 Sb_2(Te_xSe_(1-x))_3合金膜的晶体结构分析 | 第46-49页 |
| 4.3.4 薄膜形貌与成分分析 | 第49-54页 |
| 4.4 热导测试 | 第54-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 全文总结 | 第57-58页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第64页 |
