金属—氮氧锌薄膜接触特性研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 前言 | 第10页 |
| 1.2 透明导电氧化物薄膜 | 第10-11页 |
| 1.3 金属氧化物半导体 | 第11-13页 |
| 1.4 ZnON材料性质 | 第13-14页 |
| 1.5 ZnON肖特基二极管研究现状 | 第14页 |
| 1.6 ZnONTFT研究现状 | 第14-15页 |
| 1.7 本论文的主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 ZnON薄膜的制备及表征 | 第17-33页 |
| 2.1 薄膜的制备方法 | 第17-20页 |
| 2.1.1 磁控溅射镀膜的原理 | 第17页 |
| 2.1.2 磁控溅射镀膜的种类及特点 | 第17-18页 |
| 2.1.3 影响磁控溅射镀膜的因素 | 第18-20页 |
| 2.2 ZnON薄膜的制备 | 第20-22页 |
| 2.2.1 实验基片处理 | 第20-21页 |
| 2.2.2 ZnON薄膜制备工艺流程 | 第21-22页 |
| 2.3 薄膜性能表征方法 | 第22-24页 |
| 2.3.1 干涉显微镜 | 第22-23页 |
| 2.3.2 四探针测试仪 | 第23页 |
| 2.3.3 紫外-可见分光光度仪 | 第23-24页 |
| 2.4 薄膜的光学性能 | 第24-31页 |
| 2.4.1 氧氮气体流量比对ZnON薄膜的影响 | 第24-27页 |
| 2.4.2 溅射功率对ZnON薄膜的影响 | 第27-29页 |
| 2.4.3 工作压强对ZnON薄膜的影响 | 第29-31页 |
| 2.5 薄膜的方阻 | 第31-32页 |
| 2.6 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 ZnON肖特基二极管 | 第33-44页 |
| 3.1 金属半导体接触 | 第33-35页 |
| 3.1.1 肖特基势垒的形成 | 第33页 |
| 3.1.2 电流传输机制 | 第33-35页 |
| 3.2 参数提取 | 第35-36页 |
| 3.3 ZnON肖特基二极管的制备 | 第36-41页 |
| 3.3.1 光刻 | 第36-38页 |
| 3.3.2 刻蚀 | 第38-39页 |
| 3.3.3 MSM结构制备流程 | 第39-41页 |
| 3.4 电学性能测试 | 第41-43页 |
| 3.4.1 电流电压特性 | 第41页 |
| 3.4.2 光学稳定性 | 第41-42页 |
| 3.4.3 衬底温度对器件性能的影响 | 第42-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 ZnON薄膜晶体管 | 第44-57页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 薄膜晶体管的基本结构 | 第44-45页 |
| 4.3 薄膜晶体管的工作原理 | 第45-47页 |
| 4.4 薄膜晶体管的性能参数 | 第47-49页 |
| 4.5 ZnON薄膜晶体管的制备及测试 | 第49页 |
| 4.6 ZnONTFT电学性能测试 | 第49-56页 |
| 4.6.1 氧氮流量比对电学性能的影响 | 第49-52页 |
| 4.6.2 溅射功率对电学性能的影响 | 第52-54页 |
| 4.6.3 工作压强对电学性能的影响 | 第54-56页 |
| 4.7 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 全文总结 | 第57页 |
| 5.2 展望计划 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第65页 |
